[發明專利]一種±660kV閥廳直流金具選型方法

無效

• 申請號: 201010160280.4
• 申請日: 2010-04-30
• 公開（公告）號: CN102201669A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: 常浩;馬為民;陳東;于洋;樂波;郎鵬越;程煒
• 申請（專利權）人: 北京網聯直流工程技術有限公司
• 主分類號: H02J1/00
• 分類號: H02J1/00;H02M7/02;G06F17/50
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1.本發明的目的在于提供一種可靠的金具選型計算方法，以閥廳整體作為研究對象，采用有限元法完全真實、可靠的模擬不同金具選型情況下閥廳的電場分布，最終選擇合理的閥廳金具規格。

2.為了實現上述目的，本發明所采取的技術方案步驟如下：

2.1計算模型的建立

考慮到金屬導體對于空間電位、電場分布起著主要作用，閥廳模型中只考慮了閥廳內的金屬導體、部件，其他非金屬部件(如絕緣子)在建模中不考慮。采用Ansys計算軟件仿真計算。

閥廳內部各元件外套有四個空氣域#1～#4(如圖2所示)，用于控制四面體網格剖分由內部導體向外部閥廳邊界的過渡，根據閥廳尺寸劃分每個空氣域的尺寸。四個空氣域的外部再建一個閥廳實際尺寸大小的空氣域(如圖3所示)，用于表示閥廳內部的整個空間。

對閥廳內部元件和外部五個空氣域模型的剖分(圖4)。模型剖分步驟如下：

1)采用Ansys自動剖分模式對閥廳內部所有導體進行網格剖分，自動剖分精度控制采用四級；

2)采用手動單元邊長控制和Ansys自動剖分的混合模式對包含閥廳內部導體的四個空氣域進行網格剖分，自動剖分精度控制采用四級；

3)采用手動單元邊長控制和Ansys自動剖分的混合模式對表示閥廳內部整個空間的外部空氣域進行剖分，自動剖分精度控制采用四級。

2.2施加模型邊界條件：?

1)閥廳內部各管線導體表面施加電壓：

2)最外層空氣域的外表面施加零電位

2.3求解過程采用Ansys的分布式預處理共軛梯度法DPCG求解閥廳內部的靜電場。

3.場強與電位分布計算與仿真

仿真計算主要關注Yy與Yd換流變連接的A、B、C各相線，上下管母，閥塔各部件表面及附近的場強分布、最大場強及電位分布。最后以閥廳作為整體分析閥廳的場強分布。

4.根據權利1、2、3所述方法，Yy換流變x/y/z跳接金具直徑為Φ1600mm，其余金具尺寸統一均設置為Φ1200mm。?