[發明專利]一種用于MOCVD的基片加熱爐無效
| 申請號: | 201010160219.X | 申請日: | 2010-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN101899650A | 公開(公告)日: | 2010-12-01 |
| 發明(設計)人: | 吳向方;李春成 | 申請(專利權)人: | 蘇州索樂機電設備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/18 | 分類號: | C23C16/18;C23C16/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215101 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 mocvd 加熱爐 | ||
1.一種用于MOCVD的基片加熱爐,包括爐體、加熱電阻絲和電極,其特征在于:所述爐體為圓柱狀結構,架設于耐高溫的絕緣隔板之上,爐體內穿設有一組以上加熱電阻絲,且所述爐體的環狀外壁設有熱屏蔽層,并在絕緣隔板下側設有用于外接電源的電極。
2.根據權利要求1所述的一種用于MOCVD的基片加熱爐,其特征在于:所述一組以上的加熱電阻絲沿爐體圓面呈環形均勻分布。
3.根據權利要求2所述的一種用于MOCVD的基片加熱爐,其特征在于:所述同一爐體圓面上穿設有四組加熱電阻絲,其中一組加熱電阻絲間隔穿設圍繞在爐體圓面最外圈,另三組加熱電阻絲呈直徑遞減狀環環相套于爐體圓面中心。
4.根據權利要求2所述的一種用于MOCVD的基片加熱爐,其特征在于:所述同一爐體原面上穿設有四組加熱電阻絲,其中三組加熱電熱絲分別呈120°角度分布排列,中間為另一組電熱絲反復彎繞形成的復數個“C”形套圈。
5.根據權利要求1所述的一種用于MOCVD的基片加熱爐,其特征在于:所述一組以上的加熱電阻絲沿爐體圓面呈環形均勻分布的同時,沿爐體軸向立體分布。
6.根據權利要去5所述的一種用于MOCVD的基片加熱爐,其特征在于:所述一組以上的加熱電阻絲沿爐體軸向呈立體錯位分布。
7.根據權利要求1所述的一種用于MOCVD的基片加熱爐,其特征在于:所述熱屏蔽層為由耐高溫金屬板及耐高溫絕緣材料相疊構成的多層結構。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





