[發(fā)明專利]太陽(yáng)能電池

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010160056.5
• 申請(qǐng)日: 2010-04-29
• 公開（公告）號(hào): CN102237428A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃歆斐;江國(guó)豐;黃正杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士邁半導(dǎo)體精密工業(yè)（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/052
• 分類號(hào): H01L31/052;H01L31/048;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種電池，尤其涉及一種太陽(yáng)能電池。

背景技術(shù)

太陽(yáng)能作為一種清潔，無污染的能源，已經(jīng)越來越受到大眾歡迎。然而，現(xiàn)有太陽(yáng)能電池由于成本高、太陽(yáng)能的利用效率低等原因而未能大規(guī)模普及。為提高太陽(yáng)能利用效率，現(xiàn)有太陽(yáng)能電池多采用聚光透鏡將分散的太陽(yáng)能匯聚后投射至太陽(yáng)能芯片。太陽(yáng)能電池多采用多個(gè)太陽(yáng)能芯片呈矩陣排列，同時(shí)設(shè)置多個(gè)對(duì)應(yīng)于所述太陽(yáng)能芯片聚光透鏡，分別將匯聚的太陽(yáng)能投射至對(duì)應(yīng)太陽(yáng)能芯片，但是，在太陽(yáng)能電池組裝時(shí)需要每一聚光透鏡與對(duì)應(yīng)太陽(yáng)能芯片之間分別對(duì)準(zhǔn)，如果出現(xiàn)偏差，將嚴(yán)重影響太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)將聚光透鏡與對(duì)應(yīng)太陽(yáng)能鏡片之間對(duì)準(zhǔn)本身既費(fèi)時(shí)又費(fèi)力，導(dǎo)致太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)效率偏低。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，有必要提供一種高組裝效率以及高對(duì)準(zhǔn)精度的太陽(yáng)能電池。

一種太陽(yáng)能電池，其包括一個(gè)基座，一個(gè)設(shè)置于所述基座內(nèi)的電路板，多個(gè)設(shè)置于所述電路板表面的太陽(yáng)能芯片，以及一個(gè)封閉所述太陽(yáng)能芯片于所述基座內(nèi)的蓋體。所述蓋體包括與所述多個(gè)太陽(yáng)能芯片對(duì)應(yīng)的多個(gè)聚光部以及與所述多個(gè)聚光部對(duì)應(yīng)的多個(gè)延伸部。所述聚光部用于匯聚入射光至所述對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)能芯片。所述延伸部自所述蓋體的表面延伸至對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)能芯片，用于將對(duì)應(yīng)的聚光部以及太陽(yáng)能芯片對(duì)準(zhǔn)。

由于所述太陽(yáng)能電池采用對(duì)應(yīng)于所述聚光部且延伸至對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)能芯片的延伸部，所述太陽(yáng)能芯片可以依據(jù)與所述延伸部之間的相對(duì)位置與所述聚光部進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，因此所述延伸部可以作為所述對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)能芯片對(duì)準(zhǔn)的參照，以簡(jiǎn)化組裝過程，提高太陽(yáng)能電池的組裝精度。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池的分解圖。

圖2是圖1的太陽(yáng)能電池的另一分解圖，其相對(duì)圖1的太陽(yáng)能電池被翻轉(zhuǎn)180度。

圖3是圖1的太陽(yáng)能電池組裝完成后的結(jié)構(gòu)圖。

圖4是圖3的太陽(yáng)能電池沿IV-IV方向的剖視圖。

主要元件符號(hào)說明

太陽(yáng)能電池????????????100

基座??????????????????10

容置槽????????????????101

臺(tái)階部????????????????11

平面部????????????????111

弧形部????????????????112

電路板????????????????20

太陽(yáng)能芯片????????????30

蓋體??????????????????40

平板部????????????????41

第一表面??????????????411

第二表面??????????????412

聚光部????????????????42

延伸部????????????????43

對(duì)位槽????????????????431

反射膜????????????????432

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作一具體介紹。

請(qǐng)參閱圖1及圖2，所示為本發(fā)明實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池100的結(jié)構(gòu)分解圖。所述太陽(yáng)能電池100包括一個(gè)基座10，一個(gè)設(shè)置于所述基座10內(nèi)的電路板20，多個(gè)設(shè)置于所述電路板20表面的太陽(yáng)能芯片30，以及一個(gè)封閉所述太陽(yáng)能芯片30于所述基座10內(nèi)的蓋體40。

所述基座10開設(shè)有一個(gè)容置槽101，用于收容所述電路板20以及所述太陽(yáng)能芯片30。所述容置槽101的內(nèi)側(cè)壁形成有兩個(gè)臺(tái)階部11。本實(shí)施方式中，所述容置槽101為一個(gè)方形凹槽，所述臺(tái)階部11形成于所述容置槽101兩個(gè)相對(duì)的內(nèi)側(cè)壁上。所述臺(tái)階部11包括多個(gè)相互間隔的平面部111和弧形部112。該多個(gè)弧形部112均向所述容置槽101的底面傾斜。

所述電路板20用于將所述太陽(yáng)能芯片30固定于其表面，所述電路板20內(nèi)設(shè)置有分別與所述太陽(yáng)能芯片30電連接，用于傳導(dǎo)電流的電路系統(tǒng)(圖未示)。

所述太陽(yáng)能芯片30用于將照射至其上的太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能，所述太陽(yáng)能芯片30可以采用晶硅、非晶硅、多元化合物薄膜、納米結(jié)晶等類型的太陽(yáng)能芯片。所述太陽(yáng)能芯片30光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電流可以自所述電路系統(tǒng)傳導(dǎo)至其它電子設(shè)備，實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的利用或存儲(chǔ)。