[發(fā)明專利]用于薄膜光伏的層和由其制成的太陽能電池無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010159775.5 | 申請日: | 2010-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN101853893A | 公開(公告)日: | 2010-10-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | B·A·科列瓦爾;J·N·約翰遜;D·鐘;Y·A·奚;F·R·艾哈邁德 | 申請(專利權(quán))人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/036;H01L31/0256;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 嚴志軍;譚祐祥 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 薄膜 制成 太陽能電池 | ||
1.光伏裝置,包括:
吸收層,其中,所述吸收層包括由晶界隔開的多個晶粒;
其中,至少一個層布置在所述吸收層上;
其中,所述吸收層包括基本上垂直于布置在所述吸收層上的所述至少一個層的晶界;并且
其中,所述多個晶粒具有小于1微米的中值晶粒直徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏裝置,其特征在于,所述晶粒為柱形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏裝置,其特征在于,所述層為窗口層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏裝置,其特征在于,所述層為后接觸層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏裝置,其特征在于,所述晶界包括活性摻雜劑。
6.光伏裝置,包括:
吸收層,其中,所述吸收層包括由晶界隔開的多個晶粒;
其中,至少一個層布置在所述吸收層上;
其中,所述吸收層包括基本上垂直于布置在所述吸收層上的所述至少一個層的晶界;
其中,所述晶界包括活性摻雜劑;并且
其中,所述晶界中的活性摻雜劑濃度高于所述晶粒中的有效摻雜劑濃度。
7.光伏裝置,包括:
吸收層,其中,所述吸收層包括由晶界隔開的多個晶粒;
其中,至少一個層布置在所述吸收層上;
其中,所述吸收層包括基本上垂直于布置在所述吸收層上的所述至少一個層的晶界;
其中,所述晶界包括活性摻雜劑;并且
其中,所述晶界中的活性摻雜劑的量足以使所述晶界的類型與所述層中的晶粒的類型相反;并且
其中,在所述層的底部區(qū)域附近的晶界中的活性摻雜劑的量足以允許所述底部區(qū)域中的晶界的類型保持為類似于所述晶粒的類型,同時在所述晶界中具有與所述晶粒中的有效摻雜劑濃度相比的更高的活性摻雜劑濃度。
8.一種方法,包括:
在光伏裝置中提供吸收層,其中,所述吸收層包括由晶界隔開的多個晶粒,其中,至少一個層布置在所述吸收層上,
其中,所述吸收層包括基本上垂直于布置在所述吸收層上的所述至少一個層的晶界,且其中,所述多個晶粒具有小于1微米的中值晶粒直徑。
9.一種方法,包括:
在光伏裝置中提供吸收層,其中,所述吸收層包括由晶界隔開的多個晶粒,其中,至少一個層布置在所述吸收層上,其中,所述吸收層包括基本上垂直于布置在所述吸收層上的所述至少一個層的晶界;
其中,所述晶界包括活性摻雜劑;并且
其中,所述晶界中的活性摻雜劑濃度高于所述晶粒中的有效摻雜劑濃度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,提供所述吸收層包括:
提供活性摻雜劑;和
以使所述活性摻雜劑分散進入所述晶界的方式處理所述至少一個層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





