[發明專利]一種無水泥的原位氮化硅結合碳化硅預制件及制備方法

無效

• 申請號: 201010159653.6
• 申請日: 2010-04-29
• 公開（公告）號: CN101823892A
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 王慧芳;周寧生;張三華;胡書禾;畢玉保;孟慶新;于仁紅
• 申請（專利權）人: 河南科技大學
• 主分類號: C04B35/66
• 分類號: C04B35/66
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種無水泥的原位氮化硅結合碳化硅預制件，其特征在于：由碳化硅、金屬硅 粉、氧化鋁微粉、二氧化硅微粉和水硬性氧化鋁為原料，外加分散劑，水或硅 溶膠組成；其中碳化硅81-90份，金屬硅粉7-12份，氧化鋁微粉2-10份， 二氧化硅微粉0-6份，水硬性氧化鋁0-6份，總份數為100份；水或硅溶膠、 分散劑的加入量分別占碳化硅、金屬硅粉、氧化鋁微粉、二氧化硅微粉和水硬 性氧化鋁總重量的百分比為：水4-7％或硅溶膠8％-16％，分散劑0.01-0.015 ％；制備方法為：步驟一、混料及攪拌，按配比配好原料，加入分散劑，在砂 漿攪拌機進行攪拌，攪拌后加入硅溶膠或水，加入量根據流動值在170-180mm 之間控制，攪拌3分鐘；步驟二、成形、養護及干燥，成形：將模具安置在振 動臺上，加入攪拌好的混合料開始振動，邊振動邊加料；振動結束用抹刀將表 面高出的料抹去，并將表面抹平，振動時間為90-120s，養護：將澆注好的試 樣和模具在空氣中靜置養護24h后脫模，脫膜后再自然養護24h，干燥：養護后 的試樣要在烘箱內進行110℃×24h烘干處理，關閉電源待其自然冷卻到室溫， 在試樣之間鋪一層鎂砂；步驟三、氮化熱處理，干燥后的試樣放入氣氛爐中， 抽真空后通入99.999％的高純氮氣，保持氮氣壓力在0.2MPa，按照5℃/min開 始升溫，到800℃開始通流動氮氣，保持氮氣流量在600L/h左右，保持爐內壓 力0.2MPa，升溫速度減少為3℃/min，并在1280℃保溫60min，再以1℃/min 的速度升溫到1420℃，并保溫360min；結束后，氮氣保護下冷卻至室溫，出爐 后得到這種無水泥的原位氮化硅結合碳化硅預制件。

2.根據權利要求1所述無水泥的原位氮化硅結合碳化硅預制件，其特征在于： 碳化硅粒度分布在0-0.044mm、0.044mm-0.074mm、0.074-1mm、1- 3mm、3-5mm中的兩個或兩個以上的粒度區間。

3.根據權利要求1所述無水泥的原位氮化硅結合碳化硅預制件，其特征在于： 金屬硅粉粒度分布在0-0.02mm、0.02mm-0.044mm、和0.044mm-0.074mm 中的1個或1個以上的區間。

4.根據權利要求1所述無水泥的原位氮化硅結合碳化硅預制件，其特征在于： 分散劑為三聚磷酸鈉和六偏磷酸鈉的混合物。