[發(fā)明專利]發(fā)光裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010159502.0 | 申請日: | 2010-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN101847601A | 公開(公告)日: | 2010-09-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 波多野薰;永田貴章;鶴目卓也 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L21/782 | 分類號: | H01L21/782;H01L21/77;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱海煜;徐予紅 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 裝置 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術(shù)
當(dāng)制造具有發(fā)光元件的發(fā)光裝置時,在玻璃襯底等襯底上使用半導(dǎo)體工藝形成用來驅(qū)動發(fā)光元件的半導(dǎo)體電路,在半導(dǎo)體電路上形成絕緣膜(平坦化膜),并且在該絕緣膜上形成發(fā)光元件。
另外,已知如下制造柔性發(fā)光裝置的方法:在玻璃襯底等襯底上形成分離層,在分離層上形成用來驅(qū)動發(fā)光元件的半導(dǎo)體電路元件,在半導(dǎo)體電路元件上形成絕緣膜(平坦化膜),在該絕緣膜上形成發(fā)光元件,由分離層分離襯底和半導(dǎo)體電路元件,并且將半導(dǎo)體電路元件和發(fā)光元件轉(zhuǎn)移在柔性襯底上,以制造柔性發(fā)光裝置(參照專利文獻(xiàn)1)。
在專利文獻(xiàn)1中,在包含陽極、有機發(fā)光層、陰極的發(fā)光元件上形成層間絕緣膜,并且使用粘合層粘合層間絕緣層膜和支撐體。接著,由作為分離層的第一材料層及第二材料層分離半導(dǎo)體電路元件及發(fā)光元件與襯底。使用粘合層將被分離的半導(dǎo)體電路元及發(fā)光元件粘合在薄膜襯底上。
專利文獻(xiàn)1日本專利申請公開2003-163337號公報
這里,有如下問題:在有機層與形成在該有機層上的作為陰極或陽極的電極的緊貼性弱的情況下,當(dāng)由分離層分離半導(dǎo)體電路元件及發(fā)光元件與襯底時,在電極與有機層的界面可能會發(fā)生剝離。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題,本發(fā)明的一個方式的目的在于抑制當(dāng)由分離層分離半導(dǎo)體電路元件及發(fā)光元件與襯底時在電極與有機層的界面發(fā)生的剝離。
在具有多個像素的發(fā)光裝置中,當(dāng)在每個像素中制造發(fā)光元件時,將形成在有機層上的作為陰極或陽極的電極與隔斷墻接觸的區(qū)域配置在每個像素周圍。通過設(shè)置與電極的緊貼性強的隔斷墻,當(dāng)分離半導(dǎo)體電路元件及發(fā)光元件與襯底時,可以在有機層與電極不剝離的情況下分離半導(dǎo)體電路元件及發(fā)光元件與襯底。
本發(fā)明的一個方式涉及一種發(fā)光裝置的制造方法,包括:在襯底上形成分離層;在所述分離層上形成半導(dǎo)體電路元件層;在所述半導(dǎo)體電路元件層上形成電連接于所述半導(dǎo)體電路元件層的多個第一電極;在所述半導(dǎo)體電路元件層上形成重疊于所述多個第一電極的每個電極的端部的隔斷墻;在所述多個第一電極的每一個上形成發(fā)紅色光的有機物層、發(fā)綠色光的有機物層和發(fā)藍(lán)色光的有機物層中的任何一種;所述發(fā)紅色光的有機物層、所述發(fā)綠色光的有機物層和所述發(fā)藍(lán)色光的有機物層中的發(fā)同一種顏色的光的有機物層相鄰地排列為一列,并且在所述發(fā)紅色光的有機物層相鄰地排列為一列的第一區(qū)域、所述發(fā)綠色光的有機物層相鄰地排列為一列的第二區(qū)域和所述發(fā)藍(lán)色光的有機物層相鄰地排列為一列的第三區(qū)域中,以所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域的每一個延伸的方向作為第一方向;所述隔斷墻存在于所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間、所述第二區(qū)域與所述第三區(qū)域之間和所述第三區(qū)域與所述第一區(qū)域之間,并且所述隔斷墻在所述第一方向上延伸;在所述有機物層上形成第二電極,該第二電極接觸于所述隔斷墻并使用與所述隔斷墻的緊貼性強的材料而形成;以及在通過所述分離層從所述襯底分離包含所述半導(dǎo)體電路元件層、所述第一電極、所述隔斷墻、所述有機物層和所述第二電極的疊層結(jié)構(gòu)的工序中,從所述襯底分離包含所述半導(dǎo)體電路元件層、所述第一電極、所述隔斷墻、所述有機物層和所述第二電極的疊層結(jié)構(gòu)的方向為垂直于第一方向的第二方向。
所述隔斷墻使用無機材料或有機材料而形成,所述無機材料是氧化硅、氮化硅、包含氮的氧化硅、包含氧的氮化硅和金剛石狀碳中的任何一種或兩種以上,而所述有機材料是聚酰亞胺、丙烯酸樹脂、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、抗蝕劑或苯并環(huán)丁烯和硅氧烷中的任何一種或兩種以上。
所述第二電極是透光陽極、透光陰極、遮光陰極和遮光陽極中的任何一種。
所述透光陽極的材料是氧化銦、氧化銦-氧化錫合金、包含硅或氧化硅的氧化銦-氧化錫、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦、氧化銦氧化鋅合金、氧化鋅和添加有鎵(Ga)的氧化鋅中的任何一種。
所述透光陰極的材料是功函數(shù)低的材料的極薄膜或所述功函數(shù)低的材料的極薄膜與透光導(dǎo)電膜的疊層。
所述遮光陰極的材料是功函數(shù)小的金屬、功函數(shù)小的合金、功函數(shù)小的導(dǎo)電化合物和它們的混合物中的任何一種,并且所述功函數(shù)小的金屬是鋰(Li)、銫(Cs)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、銪(Eu)和鐿(Yb)中的任何一種。
所述遮光陽極的材料是功函數(shù)大的金屬、功函數(shù)大的合金、功函數(shù)大的導(dǎo)電化合物和它們的混合物中的任何一種,并且所述功函數(shù)大的金屬是金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)和鈀(Pd)中的任何一種。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社半導(dǎo)體能源研究所,未經(jīng)株式會社半導(dǎo)體能源研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010159502.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





