[發(fā)明專利]用于E類放大器的高效功率調(diào)整

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010159376.9
• 申請日: 2010-04-06
• 公開（公告）號: CN101860250A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·J·弗恩德里
• 申請（專利權(quán)）人: 馬克西姆綜合產(chǎn)品公司
• 主分類號: H02M7/537
• 分類號: H02M7/537
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種功率變換器設(shè)備，包括：

輸入功率源；

輸入電感器，配置用于耦合所述輸入功率源的功率；

開關(guān)，配置用于調(diào)整通過所述輸入電感器的輸入功率源的功率；

分流二極管，其耦合在所述開關(guān)和所述輸入電感器之間；

諧振負(fù)載，其與所述輸入電感器相耦合，并且包括第一電容器、第二電容器、串聯(lián)電感器和負(fù)載電路；以及

開關(guān)元件，其與所述輸入電感器以及諧振負(fù)載相耦合，并且配置用于以固定頻率進(jìn)行操作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括用于調(diào)制所述開關(guān)的頻率的控制電路。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括用于以固定頻率來驅(qū)動所述開關(guān)元件的驅(qū)動模塊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述功率變換器設(shè)備包括E類放大器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述輸入功率源包括DC電壓信號。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述DC電壓信號包括約等于20VDC的值。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述分流二極管配置用于當(dāng)開關(guān)打開的時候分流所述輸入電感器的功率。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述固定頻率包括等于所述諧振負(fù)載的諧振頻率的頻率。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一和第二電容器分別包括分流電容器和串聯(lián)電容器，其中所述串聯(lián)電容器和串聯(lián)電感器耦合在所述分流電容器和負(fù)載電路之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備配置為集成電路設(shè)備。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述開關(guān)包括MOSFET器件。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述分流二極管替代地包括MOSFET器件，并且所述開關(guān)包括互補型MOSFET器件。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述開關(guān)連續(xù)地閉合并且操作為熔絲鏈。

14.一種在功率變換設(shè)備中變換功率的方法，包括：

提供輸入功率源；

通過輸入電感器來耦合所述輸入功率源的功率；

使用耦合在所述輸入功率源和所述輸入電感器之間的開關(guān)來調(diào)整通過所述輸入電感器的輸入功率源的功率；

使用耦合在所述開關(guān)和所述輸入電感器之間的分流二極管以在所述開關(guān)打開時分流所述輸入電感器的功率；以及

以固定頻率來操作開關(guān)元件，所述開關(guān)元件與所述輸入電感器以及諧振負(fù)載相耦合。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括使用控制電路來調(diào)制所述開關(guān)的頻率。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中操作所述開關(guān)元件包括使用驅(qū)動模塊以固定頻率驅(qū)動所述開關(guān)元件。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述功率變換器設(shè)備包括E類放大器。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述輸入功率源包括DC電壓信號。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述DC電壓信號包括約等于20VDC的值。

20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述諧振負(fù)載與所述輸入電感器和開關(guān)元件相耦合，并且包括第一電容器、第二電容器、串聯(lián)電感器以及負(fù)載電路。

21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述固定頻率包括等于所述諧振負(fù)載的諧振頻率的頻率。

22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述第一和第二電容器分別包括分流電容器和串聯(lián)電容器，其中所述串聯(lián)電容器和串聯(lián)電感器耦合在所述分流電容器和負(fù)載電路之間。

23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述設(shè)備配置為集成電路設(shè)備。

24.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述開關(guān)包括MOSFET器件。

25.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述分流二極管替代地包括第一MOSFET器件，并且所述開關(guān)包括互補型第二MOSFET器件，其中所述第一和第二MOSFET器件互相之間以180度的異相操作。