[發(fā)明專利]一種納米尺度間隙電極對陣列及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010158860.X | 申請日： | 2010-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN101817499A | 公開（公告）日： | 2010-09-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 魏芹芹;鄧斯天;趙華波;傅云義;黃如;張興 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京大學(xué) |
| 主分類號： | B82B1/00 | 分類號： | B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京萬象新悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 張肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 納米 尺度 間隙 電極 陣列 及其 制備 方法 | ||
1.一種納米尺度間隙電極對陣列，其特征在于，在碳納米管表面上排列有Au，Pt，Ag 或Cu金屬顆粒陣列，金屬顆粒間距為1-500納米之間，上述金屬顆粒之間的碳納米管全部或 部分被除掉，形成納米尺度間隙的電極對陣列。
2.如權(quán)利要求1所述的電極對陣列，其特征在于，碳納米管為多壁碳納米管、雙壁碳納 米管、單壁碳納米管或碳納米管管束。
3.一種納米尺度間隙電極對陣列的制備方法，其步驟包括：
1)在襯底材料上制備一對微米尺度金屬電極，金屬電極材料選擇Au，Pt或Pd；厚度選 擇：100～500nm；寬度選擇：50～300μm；電極對之間間距選擇：10～100μm，該金屬電極對 上連接有一根或多根碳納米管，在上述金屬電極上引出金屬絲；
2)將上述結(jié)構(gòu)浸沒于一含有金屬離子的溶液中，上述金屬絲與所述溶液中的金屬離子發(fā) 生氧化還原反應(yīng)，在碳納米管表面上形成金屬顆粒陣列，所述溶液中的金屬離子的氧化還原 勢高于金屬絲，金屬絲選自鋁、鐵、鋅或錫時(shí)，溶液為氯鉑酸溶液、氯金酸溶液、硝酸銅溶 液或銀氨溶液，溶液濃度選擇：0.01～1mM/L；反應(yīng)時(shí)間范圍：1秒～10分鐘；
3)將上述結(jié)構(gòu)從溶液中取出，清洗、晾干后，用氧等離子體轟擊，將金屬顆粒之間的碳 納米管全部或部分去除掉，即可獲得納米尺度間隙電極對陣列。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于：碳納米管為多壁碳納米管、雙壁碳納米管、 單壁碳納米管或碳納米管管束。
5.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于：步驟3)中，氧等離子體轟擊的具體參數(shù) 為：氧氣流量為20～200mL/min；微波功率為100W～300W；真空度為20mTorr～100mTorr； 反應(yīng)時(shí)間為10s～600s。
6.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于：微米尺度金屬電極是通過傳統(tǒng)微電子工藝中 的光刻和剝離技術(shù)制備。
7.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于：襯底材料是Si/SiO2、石英、玻璃或柔軟的 聚合物薄膜。
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