[發(fā)明專利]一種低電壓阻變存儲器及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010158789.5 | 申請日： | 2010-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN101853922A | 公開（公告）日： | 2010-10-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 高德金;黃如;張麗杰;鄺永變;于哲;唐昱;潘越;唐粕人 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京大學(xué) |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京萬象新悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 賈曉玲 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電壓 存儲器 及其 制備 方法 | ||
1.一種阻變存儲器，包括頂電極，阻變材料層，底電極和襯底，其特征在于，阻變材料層為SixOyNz。
2.如權(quán)利要求1所述的阻變存儲器，其特征至于，所述SixOyNz的x∶y∶z介于1∶0.4∶0.4和1∶1∶0.6之間。
3.如權(quán)利要求1或2所述的阻變存儲器，其特征至于，所述SixOyNz的厚度不超過50nm。
4.如權(quán)利要求1所述的阻變存儲器，其特征至于，所述底電極為Pt電極或者W電極。
5.如權(quán)利要求1或4所述的阻變存儲器，其特征至于，所述頂電極為Cu電極或者Ag電極。
6.如權(quán)利要求1或4所述的阻變存儲器，其特征至于，所述底電極是由穿過阻變材料層的通孔引出。
7.如權(quán)利要求5所述的阻變存儲器，其特征至于，所述頂電極上面加有保護(hù)電極，頂電極的保護(hù)電極為Pt、Ti或者Au。
8.一種阻變存儲器的制備方法，其包括如下步驟：
1)在襯底制備底電極；
2)采用PECVD方法，通過調(diào)整N2O和SiH4參數(shù)制備SixOyNz，作為阻變材料層；
3)在上述阻變材料層上制備頂電極。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征至于，步驟2)中，所述SixOyNz的x∶y∶z介于1∶0.4∶0.4和1∶1∶0.6之間。
10.如權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征至于，步驟1)或步驟3)中，電極是采用PVD方法或其它IC工藝中的成膜方法制備。
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