[發明專利]等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201010158499.0
• 申請日: 2002-05-31
• 公開（公告）號: CN101866806A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: 池田太郎;飯塚八城;山本薰
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉春成

1.一種等離子體處理裝置，具有：

處理室；

設在所述處理室內，載置被處理體的載置臺；

設在所述處理室中，具有按照向著所述處理室內的中央的空間部噴出處理氣體的方式開口的多個氣體噴出孔的氣體導入部；和

設置在所述處理室的外側、用于在所述處理室內生成等離子體的作為感應線圈的天線部件，

該等離子體處理裝置的特征為，

利用所述天線部件，在所述處理室內激起等離子體，

所述多個氣體噴出孔向著處理室內的一點開孔。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征為，

所述氣體導入部的內側面為向上的錐形面，

所述多個氣體噴出孔分別在所述錐形面上開孔。

3.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征為，

所述處理室具有鐘罩形的電介質壁，

通過所述鐘罩形的電介質壁形成有所述感應線圈。

4.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征為，

所述氣體噴出孔按照向著所述處理室的1/2高度的所述處理室的中央的空間部而噴出處理氣體的方式來開口。

5.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征為，

所述氣體導入部具有使所述多個氣體噴出孔相互連通的環狀槽。

6.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征為，

所述多個氣體噴出孔分別在所述錐形面沿著與所述錐形面垂直的方向開孔。

7.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征為，

通過所述感應線圈在所述處理室內形成感應等離子體，

所述氣體噴出孔按照向著所述感應線圈的1/2高度的位置處的所述處理室的中央的空間部而噴出處理氣體的方式來開口。

8.如權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征為，

所述感應線圈的高度與所述感應線圈的匝數對應。

9.一種等離子體處理裝置，具有：

處理室；

設在所述處理室內，載置被處理體的載置臺；

設在所述處理室中，具有在斜上方向向著所述處理室內開口的多個氣體噴出孔的氣體導入環；和

用于在所述處理室內生成等離子體的、設置在所述處理室的外側的天線部件，

該等離子體處理裝置的特征為，

通過所述天線部件在所述處理室內，激起感應等離子體，

所述多個氣體噴出孔，向著處理室內的一點開孔。