[發(fā)明專利]照明源和掩模優(yōu)化

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010158374.8
• 申請(qǐng)日: 2004-03-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101840163A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·J·索查
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASML蒙片工具有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;G03F1/14
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 王波波

本申請(qǐng)是分案申請(qǐng)，其母案申請(qǐng)的申請(qǐng)日為2004年3月31日、申請(qǐng)?zhí)枮?00410038769.9、發(fā)明名稱為“照明源和掩模優(yōu)化”。

上述母案申請(qǐng)要求要求2003年3月31日遞交的題為“照明源和掩模優(yōu)化(SOURCEAND?MASK?OPTIMIZATION)”的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)?zhí)枮?0/458365的優(yōu)先權(quán)，2003年3月31日遞交的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)60/458365在此全文引作參考，還包括它的題為“存儲(chǔ)器的照明源和掩模優(yōu)似(Source?And?Mask?Optimization?For?Memory)”和“照明優(yōu)化(IlluminationOptimization)”的演示文稿在此也全文引作參考，還包括其標(biāo)記為圖1-29的彩圖。

技術(shù)領(lǐng)域

發(fā)明一般涉及一種用于優(yōu)化用于微光刻的照明明源和掩模特征的方法和程序產(chǎn)品。

背景技術(shù)

光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，光刻掩模可包含對(duì)應(yīng)于IC每一層的電路圖案，該圖案克以成像在已涂敷輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(硅片)的靶部上(例如包括一個(gè)或者多個(gè)電路小片(die))。一般地，單一的晶片將包含相鄰靶部的整個(gè)網(wǎng)格，該相鄰靶部由投影系統(tǒng)逐個(gè)相繼輻射。在一類光刻投射裝置中，通過(guò)一次曝光靶部上的全部掩模圖案而輻射每一靶部；這種裝置通常稱作晶片分檔器。另一種裝置-通常稱作步進(jìn)掃描裝置-通過(guò)用投射光束沿給定參考方向(“掃描”方向)依次掃描掩模圖案、并同時(shí)沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底臺(tái)來(lái)輻射每一靶部；因?yàn)橐话銇?lái)說(shuō)，投射系統(tǒng)有一個(gè)放大系數(shù)M(通常＜1)，因此對(duì)基底臺(tái)的掃描速度V是對(duì)掩模臺(tái)掃描速度的M倍。關(guān)于此處所述光刻設(shè)備的更多信息可以從例如美國(guó)專利US6,046,792中獲得，該文獻(xiàn)在此引作參考。

在使用光刻投影裝置的制造方法種，掩模圖案成像在至少部分由一層輻射敏感材料(抗蝕劑)覆蓋的基底上。在這種成像步驟之前，可以對(duì)基底進(jìn)行各種處理，如涂底漆，涂敷抗蝕劑和軟烘烤。在曝光后，可以對(duì)基底進(jìn)行其它的處理，如曝光后烘烤(PEB)，顯影，硬烘烤和測(cè)量檢查成像特征。以這一系列工藝為基礎(chǔ)，對(duì)例如IC的器件的單層進(jìn)行構(gòu)圖。這種圖案層然后可進(jìn)行各種不同的處理，如蝕刻、離子注入(摻雜)、鍍金屬、氧化、化學(xué)-機(jī)械拋光等，所述這些都用于完成一單層。如果需要多層，那么對(duì)每一新層重復(fù)全部步驟或者其變化。最終，在基底(晶片)上出現(xiàn)器件陣列。然后采用例如切割或者鋸斷的技術(shù)將這些器件彼此分開(kāi)，單個(gè)器件可以安裝在載體上，與管腳連接等。關(guān)于這些步驟的進(jìn)一步信息可從例如Peter?van?Zant的“微芯片制造：半導(dǎo)體加工實(shí)踐入門(Microchip?Fabrication：A?Practical?Guide?to?SemiconductorProcessing)”一書(shū)(第三版，McGraw?Hill?Publishing?Co.，1997，ISBN?0-07-067250-4)中獲得，這里作為參考引入。

為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，投射系統(tǒng)在下文稱為“鏡頭”；可是，該術(shù)語(yǔ)應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括例如折射光學(xué)裝置，反射光學(xué)裝置，和反射折射系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可以包括根據(jù)這些設(shè)計(jì)類型中任一設(shè)計(jì)的操作部件，該操作部件用于引導(dǎo)、整形或者控制輻射的投射光束，這種部件在下文還可共同地或者單獨(dú)地稱作“鏡頭”。另外，光刻裝置可以具有兩個(gè)或多個(gè)基底臺(tái)(和/或兩個(gè)或者多個(gè)掩模臺(tái))。在這種“多級(jí)式”器件中，可以并行使用這些附加臺(tái)，或者可以在一個(gè)或者多個(gè)臺(tái)上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個(gè)或者多個(gè)其他臺(tái)用于曝光。例如在美國(guó)專利No.US5,969,441和WO98/40791中描述的兩級(jí)光刻裝置，這里作為參考引入。

上面提到的光刻掩模包括與集成到硅片上的電路元件相對(duì)應(yīng)的幾何圖案。利用CAD(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))程序生成用于產(chǎn)生這種掩模的圖案，這一過(guò)程通常稱為EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)。為了產(chǎn)生功能性掩模，大部分CAD程序遵從一組預(yù)定的設(shè)計(jì)規(guī)則。這些規(guī)則通過(guò)加工和設(shè)計(jì)限制來(lái)設(shè)定。例如，設(shè)計(jì)規(guī)則限定電路器件(如門電路，電容器等)之間或互連線之間的間隔公差，從而確保電路器件或互連線不會(huì)以不希望的方式互相影響。設(shè)計(jì)規(guī)則限制通常稱為“臨界尺寸”(CD)。電路的臨界尺寸可以定義為一條線或一個(gè)孔的最小寬度，或者定義為兩條線之間或兩個(gè)孔之間的最小距離。因此，CD決定設(shè)計(jì)電路的總尺寸和密度。