[發(fā)明專利]生產(chǎn)黃銅礦型太陽(yáng)能電池的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010158264.1
• 申請(qǐng)日: 2010-03-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101853900A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-10-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 米澤諭;德永圭哉;菅野哲也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 本田技研工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳文平

1.一種生產(chǎn)具有至少光吸收層(16)的黃銅礦型太陽(yáng)能電池(10)的方法，該光吸收層(16)含有黃銅礦型化合物，所述光吸收層(16)插置在第一電極層(14)和第二電極層(20)之間，電極層(14，20)在基底(12)的表面上側(cè)形成，所述方法包括以下步驟：

通過(guò)使用Cu-In-Ga合金靶(24)進(jìn)行濺射在第一電極層(14)上形成Cu-In-Ga合金層(26)，和

使Cu-In-Ga合金層(26)經(jīng)受硒化處理，從而轉(zhuǎn)化Cu-In-Ga合金成為黃銅礦型化合物，以獲得光吸收層(16)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述Cu-In-Ga合金靶(24)具有滿足以下不等式(1)和(2)的Cu-In-Ga組成：

0.7≤Cu/(In+Ga)≤0.99????????...(1)

0.4≤Ga/(In+Ga)≤0.7?????????...(2)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述使用Cu-In-Ga合金靶(24)進(jìn)行濺射是DC濺射。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在使Cu-In-Ga合金層(26)經(jīng)受硒化處理的步驟之前，在Cu-In-Ga合金層(26)上形成堿層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述堿層通過(guò)以下步驟形成：向Cu-In-Ga合金層(26)上涂敷含有堿金屬的水溶液，和之后干燥涂敷的溶液。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述堿層通過(guò)以下步驟形成：將具有Cu-In-Ga合金層(26)的部分加工的產(chǎn)品浸入含有堿金屬的水溶液中，和之后干燥涂敷的溶液。

7.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中，所述堿層包含Na。