[發(fā)明專利]高功率非對稱寬波導980nm半導體激光器結構無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010157501.2 | 申請日： | 2010-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN101820136A | 公開（公告）日： | 2010-09-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王冠;王俊;崇鋒;馬驍宇 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01S5/343 | 分類號： | H01S5/343;H01S5/20;H01S5/06 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功率 對稱 波導 980 nm 半導體激光器 結構 | ||
1.一種高功率非對稱寬波導980nm半導體激光器結構，包括：
一襯底，為(100)面的N型鎵砷材料，該襯底用于在其上外延生長激光器各層材料；
一緩沖層，為N-鎵砷材料，該緩沖層制作在襯底上；
一N型下限制層，為N-鋁鎵砷材料，該N型下限制層制作在緩沖層上；
一下波導層，為N-鋁鎵砷材料，該下波導層制作在下限制層上；
一下壘層，為鎵砷磷材料，該下壘層制作在下波導層上；
一量子阱層，該量子阱層制作在下壘層上；
一上壘層，該上壘層制作在量子阱層上；
一上波導層，該上波導層制作在上壘層上；
一P型上限制層，為P-鋁鎵砷材料，該P型上限制層制作在上波導層上；
一過渡層，為P-鎵砷材料，該過渡層制作在P型上限制層上；
一電極接觸層，為P-鎵砷材料，該電極接觸層制作在過渡層上。
2.根據(jù)權利要求1所述的高功率非對稱寬波導980nm半導體激光器結構，其中量子阱層的材料為銦鎵砷，厚度為8-10nm。
3.根據(jù)權利要求1所述的高功率非對稱寬波導980nm半導體激光器結構，其中上壘層的材料為鎵砷磷，厚度為8-10nm。
4.根據(jù)權利要求1所述的高功率非對稱寬波導980nm半導體激光器結構，其中上波導層的材料為P-鋁鎵砷，厚度為400-800nm，形成大光腔寬波導結構，以獲得較大的等效橫向光斑尺寸，以便在發(fā)生腔面光學災變損傷之前獲得更高的輸出光功率。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院半導體研究所，未經中國科學院半導體研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010157501.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：微溝槽成型模具
- 下一篇：一種畜牧用打針固定裝置
