[發明專利]用于規整填料的填料層無效
| 申請號: | 201010157344.5 | 申請日: | 2010-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN101837277A | 公開(公告)日: | 2010-09-22 |
| 發明(設計)人: | I·奧斯納;M·杜斯 | 申請(專利權)人: | 蘇舍化學技術有限公司 |
| 主分類號: | B01J19/32 | 分類號: | B01J19/32 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 嚴志軍;劉華聯 |
| 地址: | 瑞士溫*** | 國省代碼: | 瑞士;CH |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 規整 填料 | ||
1.一種至少包括具有第一波紋的第一填料層(10)的規整填料(1),其中,所述第一波紋形成了多個敞開的通道(12,14,16),其中所述通道包括第一波谷(22)、第一波峰(32)和第二波峰(42),其中所述第一波峰(32)和所述第二波峰(42)界定了所述第一波谷(22),其中所述第一波峰和所述第二波峰具有第一頂端(33)和第二頂端(43),其特征在于,在所述第一波峰(32)的第一頂端(33)上形成了在所述第一頂端(33)的方向上延伸的隔離元件(34),并且所述第一波谷(22)具有谷底(23),所述隔離元件(34)具有邊緣(35),與所述第一波峰(32)的第一頂端(33)相比,該邊緣離所述波谷(22)的谷底(23)具有更大的垂直間距,由此所述規整填料包括第二填料層(100),該第二填料層(100)具有第二波紋,由此所述第一填料層(10)的第一波紋設置成使得與所述第二填料層(10)的第二波紋產生交叉布置。
2.根據權利要求1所述的規整填料(1),其特征在于,在所述第二頂端(43)上布置了第二隔離元件(44)。
3.根據前述權利要求中任一項所述的規整填料(1),其特征在于,在所述第一谷底(23)上布置了第三隔離元件(24)。
4.根據前述權利要求中任一項所述的規整填料(1),其特征在于,包括第一邊界(50,51)以及第二邊界(60,61),其中所述第一邊界(50,51)布置成基本上平行于所述第二邊界(60,61)。
5.根據權利要求4所述的規整填料(1),其特征在于,所述隔離元件(44)布置在所述第一邊界(50,51)的附近,并且/或者所述隔離元件(24)布置在所述第二邊界(60,61)的附近。
6.根據前述權利要求中任一項所述的規整填料(1),其特征在于,所述波紋高度(28)是基本恒定的。
7.根據前述權利要求中任一項所述的規整填料(1),其特征在于,所述頂端的至少一部分被制成為邊緣。
8.根據前述權利要求中任一項所述的規整填料(1),其特征在于,所述波谷中的至少一些被制成為V形。
9.根據前述權利要求中任一項所述的規整填料(1),其特征在于,所述第一填料層(10)和所述第二填料層(100)布置成使得所述第一填料層(10)的通道與所述第二填料層(100)的通道相交,其特征是,所述第一填料層(10)通過所述隔離元件(24,44)與所述第二填料層(100)相接接觸。
10.根據權利要求9所述的規整填料(1),其特征在于,所述隔離元件布置在所述第一填料層和第二填料層(10,100)其中各個上。
11.根據權利要求10所述的規整填料(1),其特征在于,所述第一填料層(10)的隔離元件與所述第二填料層(100)的隔離元件相接接觸。
12.根據前述權利要求9至11中的任一項所述的規整填料(1),其特征在于,在所述第一填料層和第二填料層(10,100)豎直地對準的情況下,所述隔離元件彼此上下地布置。
13.根據前述權利要求中任一項所述的裝置,其特征在于,所述隔離元件設置成彼此相鄰或在所述第一填料層和第二填料層(10,100)豎直地對準的情況下彼此相鄰。
14.一種質量傳遞裝置,特別是塔,包括根據前述權利要求9至13中的任一項所述的規整填料(1)。
15.根據前述權利要求中任一項所述的規整填料(1)的用于利用含水吸收劑進行吸收的用途。
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