[發明專利]半導體裝置及金屬屏蔽板的制造方法

有效

• 申請號: 201010157128.0
• 申請日: 2010-03-12
• 公開（公告）號: CN101877345A
• 公開（公告）日: 2010-11-03
• 發明（設計）人: 增田正親;小田和范;富田幸治;宮野和幸
• 申請（專利權）人: 大日本印刷株式會社
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L21/48;H05K9/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;王忠忠

1.一種半導體裝置，包括具有電路面的半導體芯片和在半導體芯片的至少電路面設置的金屬屏蔽板，其特征在于：

金屬屏蔽板具有包含一個面和另一面的屏蔽板主體、以及從屏蔽板主體向側方突出的毛邊，

金屬屏蔽板配置成使另一面朝向半導體芯片的電路面一側，

毛邊位于屏蔽板主體的另一面側，

在毛邊的前端沿與另一面正交的方向形成有切斷毛邊，切斷毛邊朝著與半導體芯片相反的一側而突出。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：金屬屏蔽板由包含Fe-Ni合金的材料構成。

3.一種半導體裝置，包括具有電路面的半導體芯片和在半導體芯片的至少電路面設置的金屬屏蔽板，其特征在于：

金屬屏蔽板具有包含一個面和另一面的屏蔽板主體、以及從屏蔽板主體向側方突出的毛邊，

金屬屏蔽板配置成使一個面朝向半導體芯片的電路面一側，

毛邊位于屏蔽板主體的另一面側，

在毛邊的前端沿與另一面正交的方向形成有切斷毛邊。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于：金屬屏蔽板由包含Fe-Ni合金的材料構成。

5.一種半導體裝置，其特征在于包括：

襯底；

設于襯底上的第一金屬屏蔽板；

設于第一金屬屏蔽板上并具有電路面的半導體芯片；以及

在半導體芯片的電路面設置的第二金屬屏蔽板，

第一金屬屏蔽板具有包含一個面和另一面的屏蔽板主體和從屏蔽板主體向側方突出的毛邊，

第一金屬屏蔽板配置成使另一面朝向襯底一側，

毛邊位于屏蔽板主體的另一面側，

在毛邊的前端沿與另一面正交的方向形成有切斷毛邊，切斷毛邊朝著與襯底相反的一側而突出。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：第一金屬屏蔽板及第二金屬屏蔽板由包含Fe-Ni合金的材料構成。

7.一種半導體裝置，其特征在于包括：

襯底；

設于襯底上的第一金屬屏蔽板；

設于第一金屬屏蔽板上并具有電路面的半導體芯片；以及

在半導體芯片的電路面設置的第二金屬屏蔽板，

第一金屬屏蔽板具有包含一個面和另一面的屏蔽板主體和從屏蔽板主體向側方突出的毛邊，

第一金屬屏蔽板配置成使一個面朝向襯底一側，

毛邊位于屏蔽板主體的另一面側，

在毛邊的前端與另一面正交的方向形成有切斷毛邊。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于：第一金屬屏蔽板及第二金屬屏蔽板由包含Fe-Ni合金的材料構成。

9.一種金屬屏蔽板的制造方法，該金屬屏蔽板用于包含半導體芯片和密封半導體芯片的密封樹脂的半導體裝置，且保護半導體芯片免受外部磁擾，其特征在于包括：

準備坡莫合金PC材料的工序；

加工坡莫合金PC材料而制作包含金屬屏蔽板的平板狀的加工完畢坡莫合金PC材料的工序；

將多個平板狀的加工完畢坡莫合金PC材料互相層疊并配置在熱處理爐內的工序；

在熱處理爐內惰性氣體氣氛中650℃至850℃的溫度下對加工完畢坡莫合金PC材料在進行熱處理的工序；以及

將金屬屏蔽板從加工完畢坡莫合金PC材料分離的工序。

10.如權利要求9所述的金屬屏蔽板的制造方法，其特征在于：多個平板狀的加工完畢坡莫合金PC材料隔著隔墊進行層疊，隔墊具有與坡莫合金PC材料相同的線膨脹系數。

11.如權利要求10所述的金屬屏蔽板的制造方法，其特征在于：隔墊由坡莫合金PC材料構成。

12.如權利要求9所述的金屬屏蔽板的制造方法，其特征在于：對加工完畢坡莫合金PC材料進行熱處理的工序包括將加工完畢坡莫合金PC材料加熱至650℃至850℃后，逐漸冷卻該加工完畢坡莫合金PC材料的退火工序。

13.如權利要求9所述的金屬屏蔽板的制造方法，其特征在于：加工完畢坡莫合金PC材料包含多個金屬屏蔽板。