[發(fā)明專利]半導體器件的結構及其形成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010156572.0
• 申請日: 2010-04-21
• 公開（公告）號: CN102237363A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發(fā)明（設計）人: 尹海洲;駱志炯;朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/8238
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 張磊

1.一種半導體器件的結構，包括：

襯底；

源區(qū)和漏區(qū)，其位于所述襯底中；

柵堆疊，其位于所述襯底之上，且位于所述源區(qū)和漏區(qū)之間，其中，所述柵堆疊包括柵介質層和柵極；

外側墻，其位于所述柵堆疊的兩側；和

內(nèi)側墻，其位于所述外側墻的內(nèi)側壁與所述柵堆疊的外側壁之間，且所述內(nèi)側墻的彎曲部分與所述柵堆疊相鄰。

2.如權利要求1所述的半導體器件結構，還包括形成在所述源區(qū)和漏區(qū)之上的金屬硅化物層。

3.如權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述外側墻為一層或多層。

4.如權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述內(nèi)側墻為一層或多層。

5.如權利要求1或4所述的半導體器件結構，其中，所述內(nèi)側墻包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氟化物摻雜硅玻璃、低k介質材料或其組合。

6.如權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述柵極通過替換柵工藝形成。

7.如權利要求1所述的半導體器件結構，其中，所述內(nèi)側墻位于所述襯底之上或者位于所述柵介質層之上。

8.一種半導體器件的形成方法，包括以下步驟：

提供襯底；

在所述襯底之上形成柵介質層及偽柵極，以及在所述偽柵極的兩側形成一層或多層外側墻；

在所述襯底中及所述偽柵極的兩側形成源區(qū)和漏區(qū)；

形成層間介質層；

去除所述偽柵極以形成凹槽，并在所述凹槽內(nèi)形成內(nèi)側墻；和

在所述內(nèi)側墻之間形成柵極，其中，所述內(nèi)側墻的彎曲部分與所述柵堆疊相鄰。

9.如權利要求8所述的方法，其中，還包括：

在所述源區(qū)和漏區(qū)之上形成金屬硅化物層。

10.如權利要求8所述的方法，其中，在去除所述偽柵極的同時，去除所述偽柵極之下的所述柵介質層，并在所述襯底之上形成所述內(nèi)側墻。

11.如權利要求8或10所述的方法，其中，

形成所述內(nèi)側墻包括：

淀積至少一層介質材料；

各向異性刻蝕所述介質材料以形成所述內(nèi)側墻。

12.如權利要求11所述的方法，其中，所述內(nèi)側墻包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氟化物摻雜硅玻璃、低k介質材料或其組合。

13.如權利要求8所述的方法，其中，所述外側墻為一層或多層。

14.如權利要求8所述的方法，其中，所述內(nèi)側墻為一層或多層。

15.如權利要求10所述的方法，其中，在形成所述柵極之前，形成新的柵介質層。