[發明專利]電極結構及制備方法、陣列基板及制備方法

有效

• 申請號: 201010156378.2
• 申請日: 2010-04-22
• 公開（公告）號: CN102237397A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 張金中;張文余
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/43
• 分類號: H01L29/43;H01L27/12;H01L21/77;H01L21/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種電極結構，其特征在于，包括：采用射頻磁控濺射法制備的第一鋁層，采用直流磁控濺射法制備的第二鋁層，及采用直流磁控濺射法制備的金屬層；所述金屬層位于所述第一鋁層和所述第二鋁層的上方；

其中，所述第一鋁層的晶粒小于所述第二鋁層的晶粒。

2.根據權利要求1所述電極結構，其特征在于，所述第一鋁層位于第二鋁層的下方。

3.根據權利要求1所述電極結構，其特征在于，所述第一鋁層位于第二鋁層的上方。

4.根據權利要求3所述電極結構，其特征在于，還包括：采用直流磁控濺射法制備的第三鋁層，所述第三鋁層位于所述第一鋁層的上方。

5.根據權利要求2所述的電極結構，其特征在于，所述第一鋁層的厚度在至之間，所述第二鋁層的厚度在至之間。

6.根據權利要求3所述的電極結構，其特征在于，所述第一鋁層的厚度在至之間，所述第二鋁層的厚度在至之間。

7.根據權利要求4所述的電極結構，其特征在于，所述第一鋁層的厚度在至之間，所述第二鋁層的厚度在至之間，所述第三鋁層的厚度在至之間。

8.根據權利要求1至7任一所述的電極結構，其特征在于，所述金屬層的厚度在至之間。

9.一種陣列基板，包括襯底基板以及在所述襯底基板上形成的導電圖案和絕緣層，其特征在于，所述導電圖案至少包括如權利要求1-8任一所述的電極結構。

10.一種電極結構制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上采用第一工藝沉積第一鋁薄膜；

在沉積所述第一鋁薄膜的襯底基板上，采用第二工藝沉積第二鋁薄膜；

在沉積所述第一鋁薄膜和第二鋁薄膜的襯底基板上，采用直流磁控濺射法沉積金屬薄膜；

通過構圖工藝刻蝕所述第一鋁薄膜、第二鋁薄膜和金屬薄膜，形成電極結構；

所述第一工藝為射頻磁控濺射法，所述第二工藝為直流磁控濺射法，所述第一鋁薄膜的晶粒小于所述第二鋁薄膜的晶粒；或者，所述第一工藝為直流磁控濺射法，所述第二工藝為射頻磁控濺射法，所述第一鋁薄膜的晶粒大于所述第二鋁薄膜的晶粒。

11.根據權利要求10所述的電極結構制備方法，其特征在于，當所述第一工藝為直流磁控濺射法，所述第二工藝為射頻磁控濺射法時，在所述采用第二工藝沉積第二鋁薄膜之后，沉積金屬薄膜之前還包括：在沉積所述第一鋁薄膜和第二鋁薄膜的襯底基板上，采用直流磁控濺射法沉積第三鋁薄膜，所述第三鋁薄膜的晶粒大于所述第二鋁薄膜的晶粒。

12.根據權利要求10或11所述的電極結構制備方法，其特征在于，所述沉積第一鋁薄膜、沉積第二鋁薄膜、沉積金屬薄膜均是在真空條件下進行。

13.一種陣列基板制備方法，其特征在于，包括：

采用如權利要求10或11或12所述的電極結構制備方法，在襯底基板上形成電極結構；

在形成電極結構的襯底基板上，形成柵極絕緣層、有源層、源漏電極、鈍化層和像素電極。