[發(fā)明專利]根據(jù)取樣和保持的源極端感測的汲入電流系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010156256.3
• 申請日: 2010-03-30
• 公開（公告）號: CN102208207A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廖國裕;陳漢松;洪俊雄
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06;G11C16/26
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于存儲裝置的資料感測，特別是關(guān)于如此防止存儲裝置中因為噪聲所造成的感測操作干擾。

背景技術(shù)

現(xiàn)今存在許多利用電荷儲存存儲單元型態(tài)的非揮發(fā)存儲器，包括存儲單元儲存電荷于一場效應晶體管的通道與柵極之間。所儲存的電荷數(shù)量影響了晶體管的臨界電壓，其可以被感測以指示資料。

一種型態(tài)的電荷儲存存儲單元被稱為浮動柵極存儲單元。在浮動柵極存儲單元中，電荷被儲存在一電性導電層介于場效應晶體管的通道與柵極之間。臨界電壓的改變藉由施加一合適的電壓于此存儲單元自此電性導電層儲存或移除電荷。另一種型態(tài)的存儲單元被稱為電荷捕捉存儲單元，其使用一介電電荷捕捉層取代浮動柵極。

在讀取或感測儲存在一存儲單元中的資料值的操作時，是施加合適的電壓以自此存儲單元的漏極端誘發(fā)電流至源極端。此電流是取決于晶體管的臨界電壓，因此指示儲存于其中的資料。

決定儲存在一存儲單元中的資料值可以利用一感測放大器來進行，其感測流經(jīng)此存儲單元的電流，且將此感測的電流與一合適的參考值作比較。圖1顯示一已知技術(shù)的感測放大器170的實施示意圖，其可以感測儲存在一選取存儲單元110中的資料值。

存儲單元110是一存儲陣列中的代表性存儲單元，此存儲陣列包括數(shù)百萬或數(shù)十億個存儲單元。字符線120與存儲單元110的柵極終端耦接。位線130、132與存儲單元110的源極和漏極終端112、114耦接。行選擇晶體管140是響應一SEL信號以選擇性地將位線130與連接至感測放大器170感測輸入172的資料線150耦接。

在存儲單元110的感測操作中，是施加合適的電壓至字符線120及位線132誘發(fā)一讀取電流I_CELL自漏極終端114至源極終端112及進入位線130。此讀取電流I_CELL經(jīng)由行選擇晶體管140被提供至資料線150。此讀取電流I_CELL在此感測放大器170的感測輸入172來對一等效負載電容C_LOAD1充電，導致感測輸入172的電壓改變是與在此讀取操作時間中的讀取電流ICELL相關(guān)。此讀取電流I_CELL的大小是與存儲單元110的臨界電壓相關(guān)，具有較低的臨界電壓可導致一較大的電流。因此，感測輸入172的電壓會改變的較快，假如此存儲單元110在一較低的臨界狀態(tài)而不是在一較高的臨界狀態(tài)。

在此感測操作中，使用一參考電流I_REF提供至在感測放大器170的感測輸入172以作為參考值。此例示的范例中，參考單元210用來提供參考電流I_REF。

字符線220與參考單元210的柵極終端耦接。位線230、232與參考單元210的源極和漏極終端212、214耦接。行選擇晶體管142是選擇性地將位線230與連接至感測放大器170參考輸入174的參考線160耦接。

合適的電壓被施加至字符線220及位線232此存儲單元以誘發(fā)一參考電流I_REF自漏極終端214至源極終端212及進入位線230。此參考電流I_REF經(jīng)由行選擇晶體管142被提供至參考線160。此參考電流I_REF在此感測放大器170的參考輸入174來對一等效負載電容C_LOAD2充電，導致參考輸入174的電壓轉(zhuǎn)換此參考電流I_REF為一參考電壓。

感測放大器170在感測操作時是由感測致能信號SEN所觸發(fā)。此感測放大器170是響應感測輸入172與參考輸入174之間的電壓差值，而產(chǎn)生用來指示儲存于該選取存儲單元110中的一輸出信號176。

圖2為在存儲單元110在感測操作時感測輸入172與參考輸入174的電壓改變與時間的關(guān)系簡要示意圖。曲線250顯示假如存儲單元110是在一較低臨界狀態(tài)時感測輸入172的電壓改變，而曲線260顯示假如存儲單元110是在一較高臨界狀態(tài)時感測輸入172的電壓改變。曲線250和260之間的差異在時間T1時是用以區(qū)分此存儲單元是在一較低還是較高臨界狀態(tài)的感測邊界的感測區(qū)間。為了可靠地區(qū)分較高與較低臨界狀態(tài)，必須維持一個相對大的感測邊界。在多位存儲單元的實施例中，其具有超過兩個臨界狀態(tài)，其間并具有感測區(qū)間。