[發(fā)明專利]一種表面處理方法以及使用該方法的經(jīng)表面處理的物品無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010156223.9 | 申請(qǐng)日: | 2010-03-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102206810A | 公開(公告)日: | 2011-10-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐文光;郭信甫;唐炯文;鄭博文 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 徐文光 |
| 主分類號(hào): | C23C16/30 | 分類號(hào): | C23C16/30;C23C16/44 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 周長(zhǎng)興 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 表面 處理 方法 以及 使用 物品 | ||
1.一種表面處理方法,包括:
提供一基底;以及
使用原子層沉積法形成一陶瓷層于該基底的表面,其中,該陶瓷層的厚度為1nm至1000nm。
2.如權(quán)利要求1所述的表面處理方法,其中,該基底為不規(guī)則形狀的基底。
3.如權(quán)利要求1所述的表面處理方法,其中,該陶瓷層的材料選自由:Al2O3、ZnO、TiO2、ZrO2、AlN、GaN、BN、TiN、SiC、Si3N4及其混合物所組成的群組。
4.如權(quán)利要求1所述的表面處理方法,其中,該陶瓷層的厚度為1nm至400nm。
5.如權(quán)利要求1所述的表面處理方法,其中,該表面處理方法用于改變?cè)摶妆砻娴念伾?/p>
6.如權(quán)利要求1所述的表面處理方法,其中,該使用原子層沉積法形成該陶瓷層的步驟重復(fù)1至10000次。
7.如權(quán)利要求1所述的表面處理方法,其中,該表面形成有陶瓷層的基底的表面顏色隨著該陶瓷層厚度的不同而改變。
8.如權(quán)利要求1所述的表面處理方法,其中,該表面處理方法用于防止該基底的氧化。
9.如權(quán)利要求1所述的表面處理方法,其中,該基底為一金屬基底、玻璃基底、石英基底或高分子基底。
10.如權(quán)利要求1所述的表面處理方法,其中,該原子層沉積法所使用的反應(yīng)溫度為50至650℃。
11.一種經(jīng)表面處理的物品,其包括一物品,該物品的表面經(jīng)由原子層沉積法于表面形成有一陶瓷層,其中該陶瓷層的厚度為1nm至1000nm。
12.如權(quán)利要求11所述的經(jīng)表面處理的物品,其中,該陶瓷層的厚度為1nm至400nm。
13.如權(quán)利要求11所述的經(jīng)表面處理的物品,其中,該陶瓷層的材料選自由:Al2O3、ZnO、TiO2、ZrO2、AlN、GaN、BN、TiN、SiC、Si3N4及其混合物所組成的群組。
14.如權(quán)利要求11所述的經(jīng)表面處理的物品,其中,該經(jīng)表面處理的物品的表面顏色不同于未經(jīng)表面處理的物品。
15.如權(quán)利要求11所述的經(jīng)表面處理的物品,其中,該經(jīng)表面處理的物品的表面顏色隨著該陶瓷層厚度的不同而改變。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于徐文光,未經(jīng)徐文光許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010156223.9/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:收割機(jī)復(fù)脫器外殼裝配工裝
- 下一篇:按鍵測(cè)試裝置
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
- 一種數(shù)據(jù)庫讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 圖片顯示方法以及裝置以及移動(dòng)終端
- ENB以及UEUL發(fā)送以及接收的方法
- X射線探測(cè)方法以及裝置以及系統(tǒng)
- 圖書信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書架
- 護(hù)耳器以及口罩以及眼鏡





