[發(fā)明專利]一種閃存塊信息的重建方法、系統(tǒng)及重建設(shè)備無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010156127.4 | 申請(qǐng)日: | 2010-04-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102237143A | 公開(公告)日: | 2011-11-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李志雄;鄧恩華;李中政 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市江波龍電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C29/04 | 分類號(hào): | G11C29/04;G11C16/02 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)科發(fā)路8*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 閃存 信息 重建 方法 系統(tǒng) 設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種閃存塊信息的重建方法、系統(tǒng)及重建設(shè)備。
背景技術(shù)
閃存(Flash)的物理構(gòu)成是:每個(gè)封裝片內(nèi)包含一個(gè)或多個(gè)Dice(晶粒);每個(gè)Dice中包含多個(gè)塊(Block);每個(gè)塊中包含多個(gè)頁(yè)(Block);每個(gè)頁(yè)中一般被用戶劃分成一個(gè)或多個(gè)扇區(qū)(Sector)。其中,每一個(gè)頁(yè)分成兩類存儲(chǔ)區(qū)域:有效數(shù)據(jù)區(qū)和冗余數(shù)據(jù)區(qū),有效數(shù)據(jù)區(qū)一般用來(lái)存儲(chǔ)普通的數(shù)據(jù);冗余數(shù)據(jù)區(qū)一般用來(lái)存放ECC(Error?Checking?and?Correcting,差錯(cuò)糾正)數(shù)據(jù)和其它數(shù)據(jù)。ECC數(shù)據(jù)是由普通數(shù)據(jù)生成的若干字節(jié)數(shù)據(jù),通過(guò)該若干字節(jié)數(shù)據(jù),可以在普通數(shù)據(jù)出錯(cuò)時(shí),將普通數(shù)據(jù)糾正為正確的數(shù)據(jù)。
受閃存自身特性所限,對(duì)閃存的寫入(Program)必須以頁(yè)為單位,對(duì)閃存的擦除(Erase)必須以塊為單位。不同廠家對(duì)閃存所做的好壞塊信息標(biāo)記位置不同,但都是在冗余數(shù)據(jù)區(qū)。
閃存出廠前,廠家會(huì)對(duì)每個(gè)塊做標(biāo)記,指明該塊是好塊還是壞塊,即為“好壞塊信息標(biāo)記”。受閃存物理使用方法的限制,在閃存使用過(guò)程中,該標(biāo)記信息很容易被破壞,導(dǎo)致再次使用閃存時(shí)就沒有了該參考信息,或參考信息不準(zhǔn)確,以致閃存不能被正確使用。
目前,對(duì)于已經(jīng)使用過(guò)的閃存,可以使用生產(chǎn)設(shè)備對(duì)閃存進(jìn)行好壞塊的識(shí)別,識(shí)別方法是逐個(gè)對(duì)塊執(zhí)行數(shù)據(jù)的擦除、寫入和讀出校驗(yàn)的識(shí)別操作,對(duì)塊進(jìn)行逐個(gè)標(biāo)記。
但是,對(duì)某些不穩(wěn)定的閃存來(lái)說(shuō),上述對(duì)閃存塊逐個(gè)標(biāo)記的識(shí)別效果比較差,如果對(duì)某個(gè)塊擦除、寫入數(shù)據(jù)之后,讀出數(shù)據(jù),檢測(cè)寫入和讀出的數(shù)據(jù)是一樣的,則將該塊標(biāo)記為好塊,對(duì)于某些不穩(wěn)定的閃存的各個(gè)塊之間的數(shù)據(jù)容易互相影響,在沒有對(duì)其它塊寫入數(shù)據(jù)以前,當(dāng)前塊沒有出現(xiàn)問(wèn)題不能說(shuō)明該塊是一個(gè)好塊,所以對(duì)于不穩(wěn)定的閃存,上述對(duì)閃存塊進(jìn)行逐個(gè)標(biāo)記的識(shí)別好壞塊信息存在缺陷。
而且,對(duì)于制造方來(lái)說(shuō),其考慮的首要因素是制造設(shè)備,不會(huì)考慮設(shè)備中的閃存會(huì)不會(huì)被重復(fù)利用,當(dāng)閃存已經(jīng)被焊接設(shè)備中,在執(zhí)行識(shí)別好壞塊的操作完成后,設(shè)備立即在閃存中寫入專供設(shè)備使用的信息,由于該信息是專供設(shè)備使用的,制造方一般將該信息所在的塊標(biāo)記為壞塊;另外很多設(shè)備制造方可能做出符合自己定義的好壞塊標(biāo)記信息。因此,即使其他閃存使用者需要重新使用該閃存,也需要首先將閃存拆下、清洗,重新做好壞塊識(shí)別,過(guò)程相當(dāng)繁瑣,況且很多閃存使用者并不具備重新對(duì)閃存進(jìn)行好壞塊識(shí)別和標(biāo)記的技術(shù)。
綜上可知,現(xiàn)有的對(duì)閃存塊信息的逐個(gè)識(shí)別方式存在較大的缺陷,不能準(zhǔn)確對(duì)好壞塊進(jìn)行識(shí)別標(biāo)記,閃存資源利用率較低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種閃存塊信息的重建裝置,旨在解決現(xiàn)有的對(duì)閃存塊信息的逐個(gè)識(shí)別方式存在較大的缺陷,不能準(zhǔn)確對(duì)好壞塊進(jìn)行識(shí)別標(biāo)記,閃存資源利用率較低的問(wèn)題。
本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種閃存塊信息的重建方法,所述方法包括下述步驟:
控制擦除閃存所有塊上的數(shù)據(jù);
根據(jù)預(yù)先配置的默認(rèn)的閃存塊信息的重建級(jí)別或用戶對(duì)所述閃存塊信息的重建級(jí)別的配置信息,同時(shí)在閃存內(nèi)的塊寫入檢測(cè)數(shù)據(jù);
當(dāng)寫完檢測(cè)數(shù)據(jù)后,讀出塊內(nèi)的數(shù)據(jù);
對(duì)讀出的數(shù)據(jù)進(jìn)行檢測(cè)驗(yàn)證,并根據(jù)檢測(cè)驗(yàn)證結(jié)果在冗余數(shù)據(jù)區(qū)標(biāo)記好壞塊信息。
本發(fā)明實(shí)施例的另一目的在于提供一種閃存塊信息的重建系統(tǒng),所述方法包括下述步驟:
數(shù)據(jù)擦除模塊,用于控制擦除閃存所有塊上的數(shù)據(jù);
檢測(cè)數(shù)據(jù)寫入模塊,用于根據(jù)預(yù)先配置的默認(rèn)的閃存塊信息的重建級(jí)別或用戶對(duì)所述閃存塊信息的重建級(jí)別的配置信息,同時(shí)在閃存內(nèi)的塊寫入檢測(cè)數(shù)據(jù);
數(shù)據(jù)讀出模塊,用于當(dāng)所述檢測(cè)數(shù)據(jù)寫入模塊寫完檢測(cè)數(shù)據(jù)后,控制器讀出塊內(nèi)的數(shù)據(jù);
檢測(cè)驗(yàn)證模塊,用于對(duì)所述數(shù)據(jù)讀出模塊讀出的數(shù)據(jù)進(jìn)行檢測(cè)驗(yàn)證;以及
標(biāo)記模塊,用于根據(jù)所述檢測(cè)驗(yàn)證模塊的檢測(cè)驗(yàn)證結(jié)果在冗余數(shù)據(jù)區(qū)標(biāo)記好壞塊信息;
提示模塊,用于提示開機(jī)時(shí)的默認(rèn)的閃存塊信息重建級(jí)別以及對(duì)閃存塊信息重建的進(jìn)度;以及
閃存卡位座單元,用于固定連接需進(jìn)行塊信息重建的閃存。。
本發(fā)明實(shí)施例的另一目的在于提供一種包括閃存塊信息的重建系統(tǒng)的重建設(shè)備。
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G11C 靜態(tài)存儲(chǔ)器
G11C29-00 存儲(chǔ)器正確運(yùn)行的校驗(yàn);備用或離線操作期間測(cè)試存儲(chǔ)器
G11C29-02 .損壞的備用電路的檢測(cè)或定位,例如,損壞的刷新計(jì)數(shù)器
G11C29-04 .損壞存儲(chǔ)元件的檢測(cè)或定位
G11C29-52 .存儲(chǔ)器內(nèi)量保護(hù);存儲(chǔ)器內(nèi)量中的錯(cuò)誤檢測(cè)
G11C29-54 .設(shè)計(jì)檢測(cè)電路的裝置,例如,可測(cè)試性設(shè)計(jì)
G11C29-56 .用于靜態(tài)存儲(chǔ)器的外部測(cè)試裝置,例如,自動(dòng)測(cè)試設(shè)備
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