[發明專利]一種尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法及系統

有效

• 申請號: 201010155769.2
• 申請日: 2010-04-20
• 公開（公告）號: CN102237130A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 郭丹;李志雄;鄧恩華
• 申請（專利權）人: 深圳市江波龍電子有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/10
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

技術領域

本發明屬于存儲技術領域，尤其涉及一種尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法及系統。

背景技術

閃存按照其內部構架可以分為單層單元閃存，每個單元(cell)中存儲1個位(bit)的信息；多層單元閃存，每個單元(cell)至少存儲2個位(bit)信息，其中，多層單元閃存包括2bit/cell、3bit/cell以及以后出現的更多位元的閃存。

單層單元閃存的數據寫入是通過對浮柵的電荷加電壓，經過源極將所存儲的電荷消除，通過這樣的方式，以存儲一個信息位(1代表消除，0代表寫入)。而多層單元閃存則是在浮柵中使用不同程度的電荷，因此能在單一晶體管中存儲多個位的信息，并通過單元的寫入與感應的控制，在單一晶體管中產生多種狀態，對于單層單元閃存及多層單元閃存而言，同樣容量的單元要存儲1位與存儲多位的穩定度和復雜度不同，單層單元閃存比多層單元閃存穩定，且單層單元閃存寫入速度較快。從數據存儲機制方面看，閃存內部包含多個存儲塊，每個存儲塊由多個頁構成。單層單元閃存的所有頁都是快速且穩定可靠的，而多層單元閃存的塊內只有一部分頁是快速且穩定可靠的，結構跟單層單元閃存內的頁類似。例如，以2bit/cell的閃存為例，一個單元包含兩個位(0，1位)，0位稱為最低有效位，1位稱為非最低有效位，可產生四種狀態(00，01，11，10)，以寫入塊內不同的頁內，其中，每個單元的兩位分別寫入塊的最低有效位頁和非最低有效位頁內，其中最低有效位頁為快速且穩定可靠的頁，并且同一型號的閃存其最低有效位頁在所有的塊內的分布都是一樣的。同理，3bit/cell的閃存，一個單元包含3個位(0，1，2位)，其中0位稱為最低有效位，1和2位稱為非最低有效位，其中寫入0位的頁為最低有效位頁，寫入1位和2位的頁為非最低有效位頁。以下，用最低有效位頁來描述多層單元閃存中快速且穩定可靠的頁，用非最低有效位頁來描述多層單元閃存中其它頁。

現有技術中用戶獲得最低有效位頁的方式是通過閃存廠商提供的每個閃存型號相應的數據資料獲得，現有技術的缺點是：可能由于某些原因無法獲得多層單元閃存的存儲塊中最低有效位頁的具體位置，如無法獲得閃存的數據資料、閃存的數據資料中沒有標明存儲塊中最低有效位頁的位置以及已獲得的閃存的數據資料丟失等。

發明內容

本發明實施例的目的在于提供一種尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法，旨在解決現有技術中可能由于某些原因無法獲得多層單元閃存的存儲塊中最低有效位頁的具體位置。

本發明實施例是這樣實現的，一種尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法，所述方法包括下述步驟：

步驟①，接收用戶發送的數據操作指令，所述數據操作指令包括選定存儲塊的信息、數據操作方式的信息、開始數據操作的信息；

步驟②，根據所述接收的數據操作指令的信息，測定所述選定存儲塊中每頁的數據操作時間；

步驟③，按照所述測定的每頁的數據操作時間的數值從小到大的順序，從所述測定的每頁的數據操作時間中依次取出數據操作時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在所述存儲塊中的偏移地址，其中，N為存儲塊中最低有效位頁的數量，N＝每一存儲塊中頁的總數/多層單元閃存中每一存儲單元存儲的位數。

本發明實施例還提供了一種尋找多層單元閃存中最低有效位頁的系統，所述系統包括：

指令接收單元，用于接收用戶發送的數據操作指令，所述數據操作指令包括選定存儲塊的信息、數據操作方式的信息、開始數據操作的信息；

數據操作時間測定單元，用于根據所述接收的數據操作指令的信息，測定所述選定存儲塊中每頁的數據操作時間；

最低有效位頁尋找單元，用于按照所述測定的每頁的數據操作時間的數值從小到大的順序，從所述測定的每頁的數據操作時間中依次取出數據操作時間位于前N的頁確定為最低有效位頁，并記錄最低有效位頁在所述存儲塊中的偏移地址，其中，N為存儲塊中最低有效位頁的數量，N＝每一存儲塊中頁的總數/多層單元閃存中每一存儲單元存儲的位數。

在本發明實施例中，當由于某些原因無法獲得多層單元閃存的存儲塊中最低有效位頁的具體位置時，通過測定存儲塊中每頁的數據操作時間，根據測定的數據操作時間方便的確定多層單元閃存的存儲塊中最低有效位頁的位置。此外，該方法實現簡單，用戶可以根據最低有效位頁的信息更好的利用多層單元閃存，實現多層單元閃存的最優性能。

附圖說明

圖1是本發明第一實施例提供的尋找多層單元閃存中最低有效位頁的方法的實現流程圖；