[發明專利]面發光激光元件

有效

• 申請號: 201010155366.8
• 申請日: 2006-11-27
• 公開（公告）號: CN101794967A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發明（設計）人: 軸谷直人;佐藤俊一
• 申請（專利權）人: 株式會社理光
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 黃小臨

1.一種面發光激光元件，包括：

活性層；

諧振器隔離層，被設置在活性層的兩側；

反射層，被設置在諧振器隔離層的兩側，反射在所述活性層中振蕩的振 蕩光；

抑制層，由第一選擇氧化層構成，抑制在所述活性層中振蕩的高次分量， 所述第一選擇氧化層被設置在所述反射層中的第一位置和所述反射層中的第 二位置之間，所述反射層中的第一位置與所述振蕩光的基本模的電場的駐波 分布的節對應，所述反射層中的第二位置在與所述活性層側相反方向上，與 對應于所述駐波分布的節的第一位置相鄰接，并且與所述駐波分布的腹對應； 以及

電流狹窄層，由與所述第一選擇氧化層不同的第二選擇氧化層構成，限 制對所述活性層注入電流時的所述反射層的區域，

所述活性層和所述抑制層之間的距離比所述活性層和第二選擇氧化層之 間的距離大。

2.如權利要求1所述的面發光激光元件，

所述第二選擇氧化層被設置在與所述振蕩光的電場的駐波分布的節對應 的位置。

3.如權利要求1所述的面發光激光元件，

所述反射層包含：

第一反射層，被配置在所述活性層的一側，由n型的半導體構成；以及

第二反射層，相對于所述活性層被配置在與所述第一反射層相反側，由 p型半導體構成，

所述第一選擇氧化層被配置在所述第一反射層中，

所述第二選擇氧化層被配置在所述第二反射層中。

4.如權利要求1所述的面發光激光元件，

還包括：半導體層，被設置在所述抑制層和所述電流狹窄層之間，用于 對所述活性層注入所述電流，

所述抑制層由第一選擇氧化層構成，所述第一選擇氧化層被設置在所述 反射層中的第一位置和所述反射層中的第二位置之間，所述反射層中的第一 位置與所述振蕩光的電場的駐波分布的節對應，所述反射層中的第二位置在 與所述活性層側相反方向上，與對應于所述駐波分布的節的第一位置相鄰接， 并且與所述駐波分布的腹對應，

所述電流狹窄層由與所述第一選擇氧化層不同的第二選擇氧化層構成，

所述第一選擇氧化層和所述第二選擇氧化層相對于所述活性層被設置在 與基板相反側，

所述第二選擇氧化層限制來自所述半導體層的電流而將其注入所述活性 層。

5.如權利要求3所述的面發光激光元件，

所述第二選擇氧化層的非氧化區域的面積比所述第一選擇氧化層的非氧 化區域的面積大。

6.如權利要求1所述的面發光激光元件，

所述抑制層由選擇氧化層構成，所述選擇氧化層被設置在所述反射層中 的第一位置和所述反射層中的第二位置之間，所述反射層中的第一位置與所 述振蕩光的電場的駐波分布的節對應，所述反射層中的第二位置在與所述活 性層側相反方向上，與對應于所述駐波分布的節的第一位置相鄰接，并且與 所述駐波分布的腹對應，

所述電流狹窄層由被注入離子，具有比被注入所述活性層的電流通過的 區域更高的電阻的高電阻區域構成。

7.如權利要求1所述的面發光激光元件，

所述反射層包含：

第一反射層，相對于所述活性層被設置在與基板相反側，由半導體構成； 以及

第二反射層，被設置在所述第一反射層上，由電介質構成，

所述電流狹窄層被設置在所述第一反射層中，

所述抑制層由電介質層構成，所述電介質層被設置在所述第二反射層中 的第一位置和所述第二反射層中的第二位置之間，同時具有與在所述第二反 射層的層積方向上相鄰的電介質不同的折射率，其中，所述第二反射層中的 第一位置與所述振蕩光的電場的駐波分布的節對應，所述第二反射層中的第 二位置在與所述活性層側相反方向上，與對應于所述駐波分布的節的第一位 置相鄰接，并且與所述駐波分布的腹對應。

8.如權利要求7所述的面發光激光元件，

還包括：正極電極，

所述電流狹窄層包含非氧化區域和氧化區域，該氧化區域在所述基板的 面內方向上被設置在所述非氧化區域的周圍，

所述正極電極被設置在所述第一反射層的上部設置的接觸層的表面上與 所述氧化區域對應的位置。