[發(fā)明專利]淺溝槽隔離的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010154803.4
• 申請日: 2010-04-14
• 公開（公告）號(hào): CN102222636A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳碧欽;宋化龍;沈憶華
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，包括：

提供表面覆蓋有掩膜結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底，所述掩膜結(jié)構(gòu)上形成有暴露半導(dǎo)體襯底的開口；

以掩膜結(jié)構(gòu)為掩膜，在半導(dǎo)體襯底上刻蝕出與所述開口相對應(yīng)的溝槽；

在所述溝槽的側(cè)壁以及底部形成襯氧化層；

在氬氣氣氛下進(jìn)行退火；

在所述溝槽內(nèi)填充絕緣介質(zhì)，形成淺溝槽隔離。

2.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述氬氣流量為0.5～10slm。

3.如權(quán)利要求1或2所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述退火時(shí)的氣壓為1～760torr，退火溫度為800～1150攝氏度，退火時(shí)間為1～300分鐘。

4.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述掩膜結(jié)構(gòu)是氮化硅掩膜層、碳化硅掩膜層以及多晶硅掩膜層的單層結(jié)構(gòu)或者任意組合疊層結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述掩膜結(jié)構(gòu)是介質(zhì)層、掩膜層依次疊加的疊層結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述刻蝕半導(dǎo)體襯底的方法是各向異性等離子刻蝕。

7.如權(quán)利要求6所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述刻蝕為利用包括由溴化氫、氦、氧以及六氟化硫等氣體形成的等離子體刻蝕。

8.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述形成襯氧化層采用爐管熱氧化法或現(xiàn)場蒸汽生成工藝。

9.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，在形成襯氧化層后、溝槽內(nèi)填充絕緣介質(zhì)前，還包括：去除襯氧化層，形成第二襯氧化層。

10.如權(quán)利要求9所述的錢溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述去除襯氧化層，采用選擇性濕法刻蝕工藝。

11.如權(quán)利要求9所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述形成第二襯氧化層采用爐管熱氧化法或現(xiàn)場蒸汽生成工藝。

12.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，在形成淺溝槽隔離后，還包括：去除掩膜結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體襯底表面形成犧牲氧化層。

13.如權(quán)利要求12所述的淺溝槽隔離的制作方法，其特征在于，所述形成犧牲氧化層，采用爐管熱氧化法。