[發明專利]LED芯片封裝結構及其封裝方法有效
| 申請號： | 201010154758.2 | 申請日： | 2010-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN102222754A | 公開（公告）日： | 2011-10-19 |
| 發明（設計）人： | 三重野文健;郭景宗 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/64;H01L35/34;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 芯片 封裝 結構 及其 方法 | ||
1.一種LED芯片封裝方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；
在所述半導體襯底的第一表面形成導電薄膜；
在所述導電薄膜的表面形成散熱元件，所述散熱元件包括p型熱電結構、n型熱電結構、與p型熱電結構和n型熱電結構相鄰并介于p型熱電結構和n型熱電結構之間的隔離層；
沿所述半導體襯底的第二表面在所述半導體襯底內形成暴露出導電薄膜的開口，所述開口用于容納LED單元。
2.如權利要求1所述的LED芯片封裝方法，其特征在于，所述導電薄膜的形成工藝為物理氣相沉積或者化學氣相沉積。
3.如權利要求1所述的LED芯片封裝方法，其特征在于，所述導電薄膜材料為Ti、Ta、W、Cu、多晶硅或者摻雜多晶硅。
4.如權利要求1所述的LED芯片封裝方法，其特征在于，所述導電薄膜為單一覆層或者多層堆疊結構。
5.如權利要求1所述的LED芯片封裝方法，其特征在于，所述p型熱電結構材料為p型SiGe，p型Si、p型B4C或者p型B9C。
6.如權利要求1所述的LED芯片封裝方法，其特征在于，所述n型熱電結構材料為n型Si或者n型SiGe。
7.如權利要求1所述的LED芯片封裝方法，其特征在于，隔離層材料選自氧化鋁、氧化硅或者氮化硅。
8.一種LED芯片封裝結構，其特征在于，包括：
半導體襯底，所述半導體襯底具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；
形成在半導體襯底第一表面的導電薄膜；
形成在導電薄膜表面的散熱元件，所述散熱元件包括p型熱電結構、n型熱電結構、與p型熱電結構和n型熱電結構相鄰并介于p型熱電結構和n型熱電結構之間的隔離層；
開口，所述開口沿所述半導體襯底的第二表面暴露出導電薄膜，所述開口用于容納LED單元。
9.如權利要求8所述的LED芯片封裝結構，其特征在于，所述導電薄膜材料為Ti、Ta、W、Cu、多晶硅或者摻雜多晶硅。
10.如權利要求8所述的LED芯片封裝結構，其特征在于，所述p型熱電結構材料為p型SiGe，p型Si、p型B4C或者p型B9C。
11.如權利要求8所述的LED芯片封裝結構，其特征在于，所述n型熱電結構材料為n型Si或者n型SiGe。
12.如權利要求8所述的LED芯片封裝結構，其特征在于，隔離層材料選自氧化鋁、氧化硅或者氮化硅。
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