[發(fā)明專(zhuān)利]熱反應(yīng)設(shè)備及使用其的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010154616.6
• 申請(qǐng)日: 2005-05-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101811074A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 費(fèi)德里科·顧特塞德;馬克·A·恩格;黃江;埃默森·全;羅伯特·格羅斯曼;菲里普·林;周厚樸;吉克·金保爾;馬丁·皮普瑞茲克;杰弗里·費(fèi)塞
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 弗盧丁公司
• 主分類(lèi)號(hào): B01L3/00
• 分類(lèi)號(hào): B01L3/00;G01N21/00;G01N31/22;G01N15/06
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 王新華

1.一種微流體系統(tǒng)，其包括：

陣列設(shè)備，其用于包含多個(gè)分離反應(yīng)腔，所述分離反應(yīng)腔被設(shè)置在反 應(yīng)區(qū)域內(nèi)且與設(shè)置在反應(yīng)區(qū)域外側(cè)的陣列設(shè)備的流體入口流體連通；

載體，其適于連接陣列設(shè)備且具有與流體入口流體連通的多個(gè)流體通 道，所述載體包括與至少一個(gè)流體通道流體連通的井，使得裝載到井中的 樣品能夠流進(jìn)所述流體入口；以及

熱傳遞界面，其包括熱傳導(dǎo)材料，所述熱傳導(dǎo)材料被設(shè)置以提供從熱 控制源至反應(yīng)區(qū)域的大致均勻的熱連通。

2.如權(quán)利要求1中所述微流體系統(tǒng)，其中熱傳導(dǎo)材料是反射性的。

3.如權(quán)利要求1中所述微流體系統(tǒng)，其中熱傳導(dǎo)材料包括半導(dǎo)體。

4.如權(quán)利要求1中所述微流體系統(tǒng)，其中熱傳導(dǎo)材料包括硅。

5.如權(quán)利要求1中所述微流體系統(tǒng)，其中熱傳導(dǎo)材料包括拋光硅。

6.如權(quán)利要求1中所述微流體系統(tǒng)，其中熱傳導(dǎo)材料包括金屬。

7.如權(quán)利要求1中所述微流體系統(tǒng)，其中反應(yīng)區(qū)域被定位在陣列設(shè) 備的中心部分，以及流體入口被設(shè)置在陣列設(shè)備外周邊。

8.如權(quán)利要求7中所述微流體系統(tǒng)，其中陣列設(shè)備與載體耦合在陣 列設(shè)備外周邊，以及熱傳導(dǎo)材料與陣列設(shè)備表面耦合在反應(yīng)區(qū)域。

9.如權(quán)利要求1中所述微流體系統(tǒng)，進(jìn)一步包括將作用力應(yīng)用到熱 傳遞設(shè)備以將熱傳遞設(shè)備推向熱控制源的裝置。

10.如權(quán)利要求9中所述微流體系統(tǒng)，其中施加作用力的裝置包括通 過(guò)形成在熱控制設(shè)備的表面中或熱傳遞界面中的通道將真空源施加至熱 傳遞界面的裝置。

11.如權(quán)利要求10中所述微流體系統(tǒng)，進(jìn)一步包括真空度檢測(cè)器，其 用于檢測(cè)在熱控制設(shè)備表面和熱傳遞界面的表面之間得到的真空的水平。

12.如權(quán)利要求11中所述微流體系統(tǒng)，其中所述真空度檢測(cè)器被定位 在遠(yuǎn)離真空源位置的沿通道或多個(gè)通道的位置。

13.如權(quán)利要求1中所述微流體系統(tǒng)，進(jìn)一步包括自動(dòng)控制系統(tǒng)，所 述自動(dòng)控制系統(tǒng)可操作的與機(jī)器人控制系統(tǒng)相連通，用于從熱控制設(shè)備中 導(dǎo)入和去除陣列設(shè)備。

14.一種隨時(shí)間在選擇溫度處或溫度范圍內(nèi)實(shí)施反應(yīng)的方法，所述方 法包括：

提供用于包含多個(gè)分離反應(yīng)腔的陣列設(shè)備，陣列設(shè)備包括接近至少一 個(gè)反應(yīng)腔的熱傳遞設(shè)備，熱傳遞設(shè)備被成形以接觸熱控制源；

引入陣列設(shè)備試劑，用于執(zhí)行想要的反應(yīng)；和

使陣列設(shè)備接觸熱控制設(shè)備，從而熱傳遞設(shè)備處于與熱控制源相熱連 通中，以使至少一個(gè)反應(yīng)腔中的反應(yīng)溫度隨熱控制源的溫度改變而改變， 其中熱控制設(shè)備適于將作用力施加到熱傳遞設(shè)備，以將熱傳遞設(shè)備推向熱 控制源。

15.如權(quán)利要求14中所述方法，其中熱傳遞設(shè)備包括半導(dǎo)體。

16.如權(quán)利要求14中所述方法，其中熱傳遞設(shè)備包括硅。

17.如權(quán)利要求14中所述方法，其中熱傳遞設(shè)備包括反射材料。

18.如權(quán)利要求14中所述方法，其中熱傳遞設(shè)備包括金屬。

19.如權(quán)利要求14中所述方法，其中作用力包括磁、靜電或真空作 用力。

20.如權(quán)利要求19中所述方法，其中作用力包括通過(guò)形成在熱控制 設(shè)備或熱傳遞設(shè)備的表面中通道施加給熱傳遞設(shè)備的真空作用力。

21.如權(quán)利要求20中所述方法，進(jìn)一步包括檢測(cè)真空度，所述真空 在熱控制設(shè)備表面和熱傳遞設(shè)備表面之間得到。

22.如權(quán)利要求21中所述方法，其中使用真空度檢測(cè)器執(zhí)行檢測(cè)真 空度，所述真空度檢測(cè)器位于距離真空源位置的沿通道或多個(gè)通道遠(yuǎn)端的 位置。

23.如權(quán)利要求22中所述方法，其中真空度不超過(guò)報(bào)警所呈現(xiàn)的或 重新校整協(xié)議所結(jié)合的預(yù)設(shè)置值。