[發明專利]太陽能電池片鍍膜工藝無效
| 申請號: | 201010154279.0 | 申請日: | 2010-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN102222718A | 公開(公告)日: | 2011-10-19 |
| 發明(設計)人: | 焦保貞 | 申請(專利權)人: | 浙江索日光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 318050 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 鍍膜 工藝 | ||
技術領域
本發明屬于太陽能電池片加工過程中的電池片處理技術領域,尤其涉及對太陽能電池片表面進行鍍膜處理的一種工藝。
背景技術
能源壓力的日趨加大,促進了太陽能產業的蓬勃發展。晶體硅太陽能電池使用硅為主體材料,經過加工的電池片吸收太陽能后釋放出電能。對太陽能產業發展影響的最重要因素就是太陽能發電的成本問題,反映在行業技術上則體現在兩個方面,一是電池片的光電轉換效率,二是電池組件的使用壽命。為了提高效率延長壽命,在制作電池片的過程中往往對電池片表面進行減反射和表面處理,現有的對太陽能電池片表面的處理方法總體而言主要有兩種,一種方法是在電池片表面涂刷透明的保護膜;另一種方法是在電池片表面進行鍍膜。采用涂刷透明保護膜的方法并不能保證對電池片提供良好的保護作用,微觀意義上的保護膜與表面的貼合不一定緊密,且材料成本高,作業難度高,保護膜各處的厚度一致性不易保證。采用現有的鍍膜方法材料成本高,在實際的應用上也沒有出現特別有效的例證。
發明內容
為克服上述缺陷,本發明需要解決的技術問題是:提供一種操作方便、作業成本低、可有效處理電池片表面的太陽能電池片鍍膜工藝。
為了解決所述技術問題,本發明的技術方案:一種太陽能電池片鍍膜工藝,包括如下次序步驟:
A、放舟?把電池片放入到密閉容器中;
B、抽真空?利用抽真空裝置對密閉容器內部進行抽真空作業,在抽真空作業時分兩步操作,前一步抽真空的作業速度要慢于后一步抽真空的作業速度,最終使密閉容器內的氣壓維持在140-170帕斯卡;
C、充氨氣?往容器內充入適量的氨氣;
D、預放電?利用高頻放電裝置對容器內部進行放電120-150秒;
E、淀積?使容器內部的壓力維持在160帕斯卡、溫度為450度,并在此狀態下持續放電450秒;
F、充氮?對容器內部依次進行抽真空和充入氮氣,并重復2到5次;
G、取舟?把電池片從密閉容器內部取出。
電池片需要預先放石墨舟內,且相鄰兩片電池片之間應留有間隙,然后石墨舟整體放入密閉容器內,或從密封容器內取出。在E步驟的淀積過程中,為了使容器內部的壓力維持在160帕斯卡,可以視情況從容器中抽出一定量的氣體或往容器內充入一定平衡量的氮氣,在正常情況,應是充入一定平衡量的氮氣。所述的高頻放電裝置可以是市購或自制,放電裝置的放電部應處于容器內部。氨氣與電池板中的硅發生化學反應會生成一定量的硅烷,硅烷和氨氣被電離后會發生如下化學反應,即是:SiH4+NH3-→SixNyHz+H2↑。具體是利用高頻輝光放電產生等離子體對薄膜淀積過程施加影響,促進氣體分子的分解、化合、激發和電離,并促進反應活性基團的生成。由于NH3的存在有利于活性基團的流動和擴散。提高了薄膜的生長速度,并大大降低了淀積時的溫度。所形成薄膜的厚度只能是達到微米級別,一般僅為幾十個微米厚。
在本鍍膜工藝中,所述的E步驟結束后,再重復一次D步驟和E步驟。電池片經過D步和E步處理后,會在電池片表面形成一層薄膜,但這層薄膜的性能有時會達不到預期的效果,例如有可能會在電池片的某些部位反應不充分,現再重復一次D步驟和E步驟,可以有效杜絕這種現象的發生,有助于改善薄膜的質量,為電池片表面提供良好的保護作用。而且,由于形成有兩層薄膜,即使在外層薄膜因長時間使用而發生變化后,內層薄膜仍能夠對電池片表面繼續提供保護作用。
因此,本發明的有益效果:
通過氨氣的電離,而與電池片表面發生反應,所生成的固態生成物淀積在電池片表面而形成一層薄膜,從而為電池片的表面提供良好的保護作用,提高了電池片本身的耐用度,降低了電池片功率的衰減,有助于太陽能產業的順利發展。采用該鍍膜工藝可以一次對多片電池片進行處理,利于集約化生產,生產速度快,作業強度低,作業成本低。在電池片表面形成所述的薄膜,也有助于電池片表面對光的吸收,通過實際測算,采用本工藝處理過的電池片與普通工藝處理過的電池片相比,其光轉化率可提高15%左右,且電池片的短路電流Isc,并聯電阻Rsh,反向電流Irev2都有明顯好轉。
具體實施方式
本發明太陽能電池片鍍膜工藝包括如下次序步驟:
A、放舟?把電池片放入到密閉容器中;
B、抽真空?利用抽真空裝置對密閉容器內部進行抽真空作業,在抽真空作業時分兩步操作,前一步抽真空的作業速度要慢于后一步抽真空的作業速度,最終使密閉容器內的氣壓維持在140-170帕斯卡;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江索日光電科技有限公司,未經浙江索日光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010154279.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:鋰離子動力電池用安全閥
- 下一篇:一種擴散源瓶用防爆裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





