[發明專利]存儲裝置

有效

• 申請號: 201010154231.X
• 申請日: 2008-05-13
• 公開（公告）號: CN101853694A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發明（設計）人: 荒川忠史
• 申請（專利權）人: 巴比祿股份有限公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10;G06F12/10
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 柳春雷;南霆

本申請是基于中請號為200810098116.8，申請日為2008年5月13日，申請人為巴比祿股份有限公司，名稱為“存儲裝置”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及存儲在計算機或各種電子設備中使用的數據的存儲裝置。

背景技術

近年來，作為計算機的外部存儲裝置，以緊湊型閃存(compactflash)(注冊商標，以下相同)為代表的存儲卡、USB閃存驅動器(USBflash?drive)正在普及。在這些外部存儲裝置中內置有閃存，該閃存是可重寫的非易失性ROM。有被稱為SLC(Single?Level?Cell，單級單元)型和MLC(Multi?Level?Cell，多級單元)型的閃存(例如，參照以下的專利文獻1)。

專利文獻1：日本專利文獻特開2002-8380號公報。

SLC型閃存是一直以來被廣泛使用的存儲器，是每單個單元可以存儲1位的信息的存儲器(以下也稱為“二值存儲器”)。與此相對，MLC型存儲器單元是每單個單元可以存儲2位以上的信息的存儲器(以下也稱為“多值存儲器”)。MLC型閃存可以通過各單元取完全充電的狀態、電量剩余有三分之二的狀態、電量剩余有三分之一的狀態、被完全放電的狀態這四種狀態而以每單個單元存儲2位的信息。

通常，MLC型閃存具有低速動作、可重寫次數少、但存儲容量比SLC型大的特點。另一方面，SLC型閃存具有高速動作、可重寫次數多、但存儲容量比MLC型小的特點。

發明內容

發明所要解決的問題

鑒于上述問題，本發明所要解決的課題是提供一種發揮了SLC型閃存和MLC型閃存這兩者的特點的優點的存儲裝置。

用于解決問題的于段

鑒于上述課題，本發明的一個實施方式的存儲裝置如下構成。

即，本發明提供一種存儲裝置，該存儲裝置在存儲區域的開頭記錄數據的管理信息，并且可以根據預定的文件系統來存儲數據，所述存儲裝置的特征在于，包括：二值閃存，具有第一存儲區域，每單個單元可以存儲2種值；多值閃存，具有第二存儲區域，每單個單元可以存儲3種以上的值；以及控制部，在將所述第一存儲區域配置于開頭的區域的同時邏輯結合所述第一存儲區域和所述第二存儲區域，并作為為單一的存儲區域的結合區域而進行數據的讀寫。

根據上述方式的存儲裝置，將二值閃存所具有的第一存儲區域配置于結合區域的開頭。因此，文件分配表等數據的管理信息被寫入到二值閃存內。由于文件分配表是一旦進行數據的寫入或擦除就會被頻繁地進行重寫的管理信息，因此通過將動作速度高于多值閃存的二值閃存配置于結合區域的開頭，與全部區域由多值閃存構成的存儲裝置相比，可以高速地存儲數據。另外，由于二值閃存具有與多值閃存相比可重寫次數多的特點，因此通過將會被頻繁地進行重寫的文件分配表寫入二值閃存，可以提高數據存儲的可靠性。這樣，根據上述方式的存儲裝置，通過使用多值閃存而實現了大容量化，同時通過也使用二值閃存而可以提供在動作的高速性和可靠性方面優良的存儲裝置。

上述方式的存儲裝置也可以采用以下構成方式，即，所述控制部包括：地址轉換部，進行所述結合區域與所述第一存儲區域和所述第二存儲區域之間的地址轉換；以及選擇部，根據所述地址轉換的結果，從所述二值閃存和所述多值閃存中選擇所述數據的讀寫目的地。根據該方式，可以根據地址轉換的結果而容易地判斷出數據的讀寫目的地。

上述方式的存儲裝置也可以采用以下構成方式，即，所述控制部在將通過所述地址轉換部進行了轉換后的地址發送給所述二值閃存和所述多值閃存之后，將用于進行所述數據的讀寫的指令發送給所述被選擇的閃存。

根據該方式，向所有閃存發送轉換后的地址，然后僅向被選擇的閃存發送指令。根據該方式，由于不需要從二值閃存和多值閃存中選擇轉換后的地址的發送目的地，因此可以提高處理速度。

上述方式的存儲裝置也可以采用以下構成方式，即，所述第一存儲區域是占所述結合區域的0.5％以上且不足100％的任一比例的區域。通過將第一存儲區域設定為這樣的區域，能夠可靠地將文件分配表等管理信息存儲在二值閃存內。

上述方式的存儲裝置也可以采用以下構成方式，即，該存儲裝置經由預定的接口與主機裝置連接，所述控制部根據來自所述主機裝置的指示而進行所述數據的讀寫。根據該方式，可以將該存儲裝置用作主機裝置的外部存儲裝置或內部存儲裝置。作為預定的接口，例如可以使用USB、IEEE1394、串行ATA、并行ATA等接口。