[發明專利]一種背面鈍化的太陽能電池的生產方法

有效

• 申請號: 201010152175.6
• 申請日: 2010-04-20
• 公開（公告）號: CN101958364A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 鄧偉偉;劉亞鋒
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種背面鈍化的太陽能電池的生產方法，其特征是具有如下步驟：

a.將硅片清洗制絨；

b.在硅片上生長一層二氧化硅薄膜；

c.在硅片正面腐蝕出正電極的形狀后，在硅片正面進行選擇性擴散形成選擇性發射結；

d.腐蝕掉硅片正面的二氧化硅薄膜，再用氫氟酸清洗；

e.對硅片進行去邊，再用氫氟酸去掉硅片正面的磷硅玻璃，保留硅片背面的二氧化硅作為鈍化層；

f.在硅片背面腐蝕出背面電極的形狀，再用氫氟酸清洗；

g.然后在硅片正面電極和背面電極印刷漿料，最后進行燒結和電性能測試。

2.根據權利要求1所述的一種背面鈍化的太陽能電池的生產方法，其特征是：所述的二氧化硅薄膜的厚度為50nm～300nm。

3.根據權利要求1所述的一種背面鈍化的太陽能電池的生產方法，其特征是：清洗硅片正面的磷硅玻璃所用氫氟酸的質量濃度為1％～50％，時間為1s～60s。

4.根據權利要求1所述的一種背面鈍化的太陽能電池的生產方法，其特征是：背面電極印刷的漿料中含有玻璃料，玻璃料的質量百分含量為0％～30％。

5.一種背面鈍化的太陽能電池的生產方法，其特征是具有如下步驟：

a.將硅片清洗制絨；

b.在硅片上生長一層二氧化硅薄膜；

c.在硅片正面腐蝕出正電極的形狀后，在硅片正面進行選擇性擴散形成選擇性發射結；

d.腐蝕掉硅片背面的二氧化硅薄膜，再用HF清洗；

e.對硅片進行去邊，再用氫氟酸去掉硅片正面的磷硅玻璃；

f.在硅片背面沉積一層氮化硅薄膜；

g.在硅片背面腐蝕出背面電極的形狀，再用氫氟酸清洗；

h.然后印刷硅片正面電極和背面電極，最后進行燒結和電性能測試。

6.根據權利要求5所述的一種背面鈍化的太陽能電池的生產方法，其特征是：所述的氮化硅薄膜厚度為50nm～200nm，折射率為2.0～3.0。