[發明專利]一種具有可撓性介電層的內連線

有效

• 申請號: 201010151859.4
• 申請日: 2010-04-19
• 公開（公告）號: CN102074549A
• 公開（公告）日: 2011-05-25
• 發明（設計）人: 羅清郁;林伯俊;陳海清;包天一;眭曉林;余振華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/532
• 分類號: H01L23/532;H01L23/485
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

1.一種具有可撓性介電層的內連線，其特征在于，包括：

多個介電層形成覆蓋于至少包含一個主動組件的一半導體基底之上；

至少一第一內金屬介電層在該多個介電層之上，該至少一第一內金屬介電層包含一個由導電材料所形成的一第一介層窗，該第一內金屬介電層由一聚合物材料所形成；以及

至少一第二內金屬介電層在該至少一第一內金屬介電層之上，該至少一第二內金屬介電層包括填充著導電材料的一第一溝渠所形成的一第一導線，該第一導線與第一介層窗電性連接。

2.根據權利要求1所述的具有可撓性介電層的內連線，其特征在于，該聚合物材料為聚酰亞胺。

3.根據權利要求1所述的具有可撓性介電層的內連線，其特征在于，該多個介電層包括介電常數小于3.0的介電材料。

4.根據權利要求1所述的具有可撓性介電層的內連線，其特征在于，該第一內金屬介電層中的該第一介層窗是集成電路的頂部階介層窗，以及該第二內金屬介電層中的該第一導線是集成電路的頂部階導線。

5.根據權利要求4所述的具有可撓性介電層的內連線，其特征在于，還包括：

一第三內金屬介電層形成于該多個介電層和該第一內金屬介電層之間，且包括填充導電材料的一第二溝渠而形成一第二導線，該第二導線與該第一介層窗電性連接；

其中該第三內金屬介電層由選自于由無摻雜硅酸玻璃、磷摻雜硅酸玻璃、氟摻雜硅酸玻璃、氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅和極低介電常數材料所組成的族群其中之一的材料所形成的。

6.根據權利要求5所述的具有可撓性介電層的內連線，其特征在于，還包括：

一第四內金屬介電層形成于該多個介電層和第三內金屬介電層之間，且包括由一導電材料所形成的一第二介層窗，該第二介層窗和該第二導線電性連接；

其中該第四內金屬介電層由聚酰亞胺材料或極低介電常數材料所形成。

7.根據權利要求1所述的具有可撓性介電層的內連線，其特征在于，該第一內金屬介電層的厚度從1500埃到6000埃，該第二內金屬介電層的厚度從4000埃到10000埃。

8.根據權利要求1所述的具有可撓性介電層的內連線，其特征在于，還包括：

一蝕刻終止層介于該多個介電層和該第一內金屬介電層之間；以及

一粘著促進劑介于該蝕刻終止層和該第一內金屬介電層之間。

9.根據權利要求1所述的具有可撓性介電層的內連線，其特征在于，該第二內金屬介電層由聚酰亞胺材料所形成。

10.根據權利要求1所述的具有可撓性介電層的內連線，其特征在于，還包括：

一保護層位于該第二內金屬介電層之上；以及

一焊墊位于該保護層之上且該焊墊與該第一導線電性連接。

11.根據權利要求1所述的具有可撓性介電層的內連線，其特征在于，該第一導線是由銅所形成，其中該第一介層窗是由銅所形成。