[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201010151045.0
• 申請日: 2008-05-23
• 公開（公告）號: CN101814497A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 楠茂;望月浩一;川上稔
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;王忠忠

1.一種半導體裝置，其特征在于，

具有：半導體襯底；絕緣膜，覆蓋所述半導體襯底的至少一部分； 半導體元件，具有電極；電阻元件，設置在所述絕緣膜上，并且，與所 述電極電連接成使其成為針對流過所述電極的電流的電阻，

利用所述半導體襯底和所述電阻元件之間的電位差，在所述電阻元 件中產生耗盡層。

2.如權利要求1的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體元件是具有發射電極以及源電極的任意一個、柵電極、 焊盤的開關元件，

所述電極是所述發射電極、所述源電極以及所述柵電極的任意一 個，

所述電極和所述焊盤通過所述電阻元件電連接。

3.如權利要求1的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體元件是具有發射電極以及源電極的任意一個和柵電極 的開關元件，

所述電極是所述柵電極，

所述發射電極以及源電極的任意一個和所述電極通過所述電阻元 件電連接。

4.如權利要求1的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體元件是具有第一發射電極以及第一源電極的任意一個 和第二發射電極以及第二源電極的任意一個的開關元件，

所述電極是所述第一發射電極以及第一源電極的任意一個，

所述第二發射電極以及第二源電極的任意一個和所述電極通過所 述電阻元件電連接。