[發(fā)明專利]一種使用微熔技術(shù)制造應(yīng)變片傳感器的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010150793.7
• 申請(qǐng)日: 2010-04-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102221326A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楚湯姆;李浩然;胡德強(qiáng);戴蒙·杰滿通;許占豪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 精量電子(深圳)有限公司
• 主分類號(hào): G01B7/16
• 分類號(hào): G01B7/16;C23F1/24
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種使用微熔技術(shù)制造應(yīng)變片傳感器的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)從刻制有應(yīng)變片的母盤(pán)中分離出應(yīng)變片；

(2)在用于支撐應(yīng)變片的應(yīng)變片傳感器結(jié)構(gòu)承載件上涂印用于固定應(yīng)變片的固定膠；

(3)將應(yīng)變片對(duì)正放置于固定膠上；

(4)將固定膠加溫熔化，使應(yīng)變片沉入熔化的固定膠至設(shè)定的深度，待固定膠冷卻后，應(yīng)變片就永久地固定于傳感器結(jié)構(gòu)承載件上。

2.如權(quán)利要求1所述的一種使用微熔技術(shù)制造應(yīng)變片傳感器的方法，其特征在于：在步驟(1)中，所述母盤(pán)為硅晶圓片，所述應(yīng)變片刻制于硅晶圓片的正面，用腐蝕劑腐蝕硅晶圓片的反面，將硅晶圓片中除應(yīng)變片外的其余部分腐蝕掉，從硅晶圓片中分離出應(yīng)變片。

3.如權(quán)利要求2所述的一種使用微熔技術(shù)制造應(yīng)變片傳感器的方法，其特征在于：掩蓋住硅晶圓片的正面，腐蝕其反面直到應(yīng)變片從硅晶圓片中分離出來(lái)。

4.如權(quán)利要求1所述的一種使用微熔技術(shù)制造應(yīng)變片傳感器的方法，其特征在于：在步驟(2)中，所述傳感器結(jié)構(gòu)承載件上設(shè)有相對(duì)為一平面的壓力薄膜，所述固定膠涂覆于壓力薄膜上。

5.如權(quán)利要求4所述的一種使用微熔技術(shù)制造應(yīng)變片傳感器的方法，其特征在于：在步驟(2)之前還可以有步驟A，在步驟A中，加工處理壓力薄膜，得到適合微熔的表面。

6.如權(quán)利要求4所述的一種使用微熔技術(shù)制造應(yīng)變片傳感器的方法，其特征在于：在步驟(2)中，用機(jī)械或手動(dòng)的方式將固定膠涂印于壓力薄膜上。

7.如權(quán)利要求1所述的一種使用微熔技術(shù)制造應(yīng)變片傳感器的方法，其特征在于：在步驟(3)中，先將應(yīng)變片和固定膠中至少之一涂上粘膠，后將應(yīng)變片粘貼到固定膠上的指定位置，粘貼時(shí)使用顯微鏡或視覺(jué)系統(tǒng)。

8.如權(quán)利要求1所述的一種使用微熔技術(shù)制造應(yīng)變片傳感器的方法，其特征在于：在步驟(4)之后，還有一步驟B，在步驟B中，將粘貼有應(yīng)變片的傳感器結(jié)構(gòu)承載件放入加溫爐加熱至200～300℃，保持加溫爐中的溫度5～20小時(shí)，以改善傳感器微熔元件的穩(wěn)定性以及消除固定膠的內(nèi)應(yīng)力。