[發(fā)明專利]接合方法和接合體

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010149137.5
• 申請日: 2010-03-26
• 公開（公告）號: CN101845278A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 今村峰宏;五味一博
• 申請（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: C09J5/00
• 分類號: C09J5/00;C09J9/02;C09J7/02;C09J187/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張寶榮

1.一種接合方法，其特征在于，包括：

第一工序，準(zhǔn)備轉(zhuǎn)印用基材、具有第一端子的第一基材及具有第二端子的第二基材，所述轉(zhuǎn)印用基材至少在表面附近具有相對于含有硅酮材料和導(dǎo)電性粒子的液狀材料的疏液性，所述第一基材和所述第二基材將經(jīng)由接合膜而相互電接合；

第二工序，在所述轉(zhuǎn)印用基材的賦予所述疏液性的一表面?zhèn)韧坎妓鲆籂畈牧隙纬梢砸?guī)定形狀構(gòu)圖的液狀覆膜后進行干燥，得到以所述規(guī)定形狀構(gòu)圖的接合膜；

第三工序，通過對所述接合膜賦予能量，使得在所述接合膜的表面附近表現(xiàn)粘接性，經(jīng)由該接合膜將所述轉(zhuǎn)印用基材與所述第一基材接合后，通過將所述轉(zhuǎn)印用基材與所述第一基材分離，將所述接合膜從所述轉(zhuǎn)印用基材轉(zhuǎn)印至所述第一基材；

第四工序，通過對被轉(zhuǎn)印的所述接合膜賦予能量，使得在所述接合膜的表面附近表現(xiàn)粘接性，經(jīng)由該接合膜將所述第一基材與所述第二基材接合，由此得到所述第一基材與所述第二基材彼此接合而成的預(yù)接合體；

第五工序，沿所述接合膜的厚度方向?qū)λ鲱A(yù)接合體進行加壓，而維持經(jīng)由該接合膜的所述第一基材與所述第二基材的接合，并且經(jīng)由所述接合膜中的所述導(dǎo)電性粒子將所述第一端子與所述第二端子電連接，由此得到接合體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合方法，其中，

在使所述第一基材與所述第二基材以所述第一端子與所述第二端子彼此對置的方式重疊時，所述第一端子與所述第二端子被設(shè)置在相互重合的位置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接合方法，其中，

所述規(guī)定形狀是在第三工序中將所述接合膜轉(zhuǎn)印于所述第一基材時，形成與所述第一端子的形狀對應(yīng)的形狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的接合方法，其中，

在所述第二工序中，在所述第一基材的經(jīng)由所述接合膜與所述第二基材接合的一側(cè)表面的大致整個表面上形成不含所述導(dǎo)電性粒子的接合膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的接合方法，其中，

在所述第二工序中，在所述第二基材的經(jīng)由所述接合膜與所述第一基材接合的一側(cè)表面的大致整個表面上形成不含所述導(dǎo)電性粒子的接合膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的接合方法，其中，

在所述第二工序中，所述液狀覆膜通過使用液滴噴出法將所述液狀材料以液滴形式供給來形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的接合方法，其中，

所述液滴噴出法是利用基于壓電元件的振動而將所述液狀材料從噴墨頭所具有的噴嘴孔以液滴形式噴出的噴墨法。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項所述的接合方法，其中，

所述硅酮材料其主骨架由聚二甲基硅氧烷構(gòu)成，該主骨架呈分枝狀。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的接合方法，其中，

所述硅酮材料中所述聚二甲基硅氧烷所具有的甲基的至少一個被苯基取代。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項所述的接合方法，其中，

所述硅酮材料具有多個硅烷醇基。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任一項所述的接合方法，

所述硅酮材料是通過與聚酯樹脂進行脫水縮合反應(yīng)而得到的一種聚酯改性硅酮材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的接合方法，其中，

所述聚酯樹脂由飽和多元酸與多元醇的酯化反應(yīng)而得到。

13.根據(jù)權(quán)利要求1～12中任一項所述的接合方法，其中，

所述導(dǎo)電性粒子具有基材粒子、覆蓋該基材粒子的表面的導(dǎo)電膜。

14.根據(jù)權(quán)利要求1～13中任一項所述的接合方法，其中，

所述導(dǎo)電性粒子的平均粒徑為0.3～100μm。

15.根據(jù)權(quán)利要求1～14中任一項所述的接合方法，其中，

所述接合膜的平均厚度為0.5～500μm。

16.根據(jù)權(quán)利要求1～15中任一項所述的接合方法，其中，

在所述第三工序和第四工序中，對所述接合膜的所述能量的賦予通過使等離子體與所述接合膜接觸來進行。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的接合方法，其中，

所述等離子體的接觸在大氣壓下進行。