[發明專利]一種n型晶體硅的制備方法無效
| 申請號： | 201010148437.1 | 申請日： | 2010-04-13 |
| 公開（公告）號： | CN101812728A | 公開（公告）日： | 2010-08-25 |
| 發明（設計）人： | 蔣君祥;徐璟玉;胡建鋒;熊斌;戴寧;褚君浩 | 申請（專利權）人： | 上海太陽能電池研究與發展中心 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 201201 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種n型晶體硅的制備方法，其特征在于：在晶體生長過程中，對熔融硅液施加一個平行于晶體生長方向的直流電場，在溫度場和電場的協同控制下完成晶體生長，獲得在晶體生長方向上均勻摻雜的n型多晶硅錠或n型單晶硅棒。
2.根據權利要求1的一種n型晶體硅的制備方法，其特征在于：所述的n型晶體硅是指由P、As和Sb中的一種或幾種摻雜形成的。
3.根據權利要求1的一種n型晶體硅的制備方法，其特征在于：所述的晶體生長是指采用定向凝固的多晶硅鑄錠或CZ法拉制單晶或FZ法生長單晶。
4.根據權利要求1的一種n型晶體硅的制備方法，其特征在于：所述平行于晶體生長方向的直流電場，是指電場方向與晶體生長方向相同；其電場的電壓為0.1～10V或電流密度為0.1～10A/cm2；所用電源為穩流直流或穩壓直流。
5.根據權利要求1的一種n型晶體硅的制備方法，其特征在于：所述的溫度場和電場的協同控制是以溫度場為主控制晶體的生長速度，直流電場強度以其產生的焦耳熱不影響溫度場為宜。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海太陽能電池研究與發展中心，未經上海太陽能電池研究與發展中心許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010148437.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
