[發明專利]具有立方晶體結構的無源電光陶瓷、它們的制造工藝及其應用無效
| 申請號: | 201010147585.1 | 申請日: | 2010-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN101851095A | 公開(公告)日: | 2010-10-06 |
| 發明(設計)人: | 伊馮娜·門克;烏爾里希·珀什爾特;池末明生 | 申請(專利權)人: | 肖特公開股份有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/50 | 分類號: | C04B35/50;C04B35/505;C04B35/515;C04B35/64;G02B1/00;G02B3/00 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 郭國清;樊衛民 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 立方 晶體結構 無源 電光 陶瓷 它們 制造 工藝 及其 應用 | ||
1.多晶的透明電光陶瓷,其中至少95wt%、優選至少98wt%的個體晶體具有立方燒綠石或熒石結構,包含具有下列化學計量的化合物:
A2+xByDzE7,其中
-1.15≤x≤0,0≤y≤3,0≤z≤1.6,并且3x+4y+5z=8,而且其中
A是至少一個選自稀土金屬氧化物的三價陽離子,B是至少一個四價陽離子,D是至少一個五價陽離子,E是至少一個二價陰離子。
2.權利要求1的電光陶瓷,其中A選自Y、Gd、Yb、Lu、Sc和La。
3.權利要求1或2的電光陶瓷,其中B選自Ti、Zr、Hf、Sn和Ge。
4.權利要求1到3一項或多項的電光陶瓷,其中D是Nb和或Ta。
5.前述權利要求一項或多項的電光陶瓷,其中折射率高于或等于約1.9,優選在約2.0到2.7之間,特別優選在約2.1到約2.7之間,其中阿貝數在約10到約45之間,優選在約10到約40之間,特別優選在約12到約35之間。
6.前述權利要求一項或多項的電光陶瓷,其中它對可見光是透明的。
7.前述權利要求一項或多項的電光陶瓷,其中它對紅外光是透明的。
8.前述權利要求一項或多項的電光陶瓷,其中它對可見光以及紅外光是透明的。
9.折射、透射或衍射光學元件,含有基本上單相的如前述權利要求1到8的一項或多項中定義的電光陶瓷。
10.權利要求9的光學元件,其特征在于光學元件被塑造成透鏡的形狀。
11.由至少兩種不同的透明材料組成的光學成像系統,其中至少一個透鏡被構造成前述權利要求所述的光學元件。
12.權利要求1到8任何一項的電光陶瓷作為透明的保護性元件的應用,所述透明的保護性元件優選為窗戶或遮光板。
13.權利要求1到8的一項或多項的電光陶瓷,其通過單一化合物的反應性燒結來制造。
14.權利要求1到8的一項或多項的電光陶瓷,其通過靶組合物的預反應粉末的燒結來制造。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于肖特公開股份有限公司,未經肖特公開股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010147585.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于捕獲小動物的材料
- 下一篇:保護氣體控制裝置





