[發明專利]一種納米氧化鋯復合陶瓷的合成方法

無效

• 申請號: 201010147570.5
• 申請日: 2010-04-14
• 公開（公告）號: CN101811874A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 鄧旭亮;林元華;自偉;胡曉陽
• 申請（專利權）人: 鄧旭亮
• 主分類號: C04B35/622
• 分類號: C04B35/622;C04B35/48;C04B35/64
• 代理公司: 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003
• 代理人: 尹振啟

1.一種納米氧化鋯復合陶瓷的合成方法，其特征在于，該方法具體為：

1)采用液相包覆法制備含量為20～30wt％的CePO₄包覆的 3Y-TZP納米粉體；

2)將粉體進行干壓和冷靜壓成型；

3)無壓燒結成致密塊體。

其中，所述步驟1)中納米粉體制備過程為：將設定量的3Y-TZP粉 體配置成懸浮液，超聲分散后，將設定量的分散劑、脫模劑加入 3Y-TZP懸浮液中，進行超聲分散；加入溶解的計算量的磷酸氫二銨， 進行超聲分散；用磷酸將混合均勻的懸浮液調pH值為3.5～4.5，滴 入溶解的計算量的硝酸鈰，控制反應溫度為45～55℃，在攪拌下進 行反應；絮凝完全后將上層清液倒出，把下層固相含量較大的部分 進行離心分離，最后在烘箱中烘干，研磨后煅燒，再研磨后制得納 米粉體；所述研磨后煅燒溫度為800℃。

2.如權利要求1所述的納米氧化鋯復合陶瓷的合成方法，其特征在于， 所述步驟1)中CePO₄含量的最優值為25wt％。

3.如權利要求1所述的納米氧化鋯復合陶瓷的合成方法，其特征在于， 所述pH最優值為4.0。

4.如權利要求1所述的納米氧化鋯復合陶瓷的合成方法，其特征在于， 所述反應溫度最優值為50℃。

5.如權利要求1所述的納米氧化鋯復合陶瓷的合成方法，其特征在于， 所述步驟3)中的燒結溫度為1200℃～1500℃。

6.如權利要求5所述的納米氧化鋯復合陶瓷的合成方法，其特征在于， 所述燒結溫度的最優值為1400℃。