[發明專利]一種嵌入式非揮發性存儲器

無效

• 申請號: 201010147519.4
• 申請日: 2010-04-13
• 公開（公告）號: CN101834187A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發明（設計）人: 唐粕人;吳大可;黃如;許曉燕
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/792;H01L29/10
• 代理公司: 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200
• 代理人: 邵可聲

1.一種嵌入式非揮發性存儲器，其特征在于包括一MOS晶體管和一插指型金屬互聯電容單元；所述插指型金屬互聯電容單元的內側插指結構與所述MOS晶體管的柵極連接，構成嵌入式非揮發性存儲器的浮柵；所述MOS晶體管的源漏極分別對應為嵌入式非揮發性存儲器的源漏極；所述插指型金屬互聯電容單元的外側插指結構為嵌入式非揮發性存儲器的控制柵。

2.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于所述插指型金屬互聯電容單元疊置在所述MOS晶體管的上層。

3.如權利要求1或2所述的存儲器，其特征在于所述插指型金屬互聯電容單元的內側插指結構通過接觸孔與所述MOS晶體管的柵極連接。

4.如權利要求3所述的存儲器，其特征在于所述插指型金屬互聯電容單元為一疊層插指型金屬互聯電容單元，其中每一層插指型金屬互聯電容單元的內側插指結構分別通過接觸孔與所述MOS晶體管的柵極連接，且每一層插指型金屬互聯電容單元的外側插指結構連接到一公共端，作為非揮發性存儲器的控制柵。

5.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于所述插指型金屬互聯電容單元的內側插指結構與外側插指結構之間的介質層為SiO₂。

6.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于所述MOS晶體管為PMOS晶體管、或NMOS晶體管、或CMOS晶體管。

7.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于所述MOS晶體管和所述插指型金屬互聯電容單元位于同一層上。