[發明專利]薄膜太陽能電池及其制造方法

無效

• 申請號: 201010147515.6
• 申請日: 2010-04-08
• 公開（公告）號: CN102214708A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 張明龍;鐘大龍;吳召平
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.薄膜太陽能電池，其特征在于，包括：背接觸層；與背接觸層相鄰的包含吸收材料和摻雜物的吸收層；緩沖層；位于吸收層和緩沖層之間的摻雜物阻擋層；以及與緩沖層相鄰的窗口層。

2.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于還包含一個支持層。

3.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于所述摻雜物阻擋層的厚度在約為1納米到約為100納米之間。

4.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于所述摻雜物阻擋層的厚度在約為5納米到約為50納米之間。

5.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于所述摻雜物阻擋層包括摻雜或未摻雜的氮化物或者摻雜或未摻雜的氮氧化物。

6.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于所述摻雜物阻擋層是透明的。

7.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于所述窗口層包含透明導電氧化物。

8.如權利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于摻雜物阻擋層包括至少一種以下物質：氮化鉭、氮化鈦、氮化鉿、氮化鋯、氮化鎢、氮化鉬、氮化鎳、氮化釕、氮化鐠、氮化鈦鎢、氮化鉭硅、氮化鈦硅、氮化鉿硅、氮化鋯硅、氮化鎢硅、氮化鉬硅、氮化鎳硅、氮化釕硅、氮化鐠硅、氮氧化鉭、氮氧化鈦、氮氧化鉿、氮氧化鋯、氮氧化鎢、氮氧化鉬、氮氧化鎳、氮氧化釕和氮氧化鐠。

9.如權利要求1至8中任一權利要求所述的薄膜太陽能電池，其特征在于所述吸收材料包括碲化鎘，摻雜物包括銅，緩沖層包括硫化鎘。

10.薄膜太陽能電池的制造方法，其特征在于，包括：提供背接觸層；提供與背接觸層相鄰的包含吸收材料和摻雜物的吸收層；提供緩沖層；提供位于吸收層和緩沖層之間的摻雜物阻擋層；以及提供與緩沖層相鄰的窗口層。

11.如權利要求10所述的制造方法，其特征在于吸收層包括碲化鎘，摻雜物包括銅，緩沖層包括硫化鎘，摻雜物阻擋層包括至少一種以下物質：氮化鉭、氮化鈦、氮化鉿、氮化鋯、氮化鎢、氮化鉬、氮化鎳、氮化釕、氮化鐠、氮化鈦鎢、氮化鉭硅、氮化鈦硅、氮化鉿硅、氮化鋯硅、氮化鎢硅、氮化鉬硅、氮化鎳硅、氮化釕硅、氮化鐠硅、氮氧化鉭、氮氧化鈦、氮氧化鉿、氮氧化鋯、氮氧化鎢、氮氧化鉬、氮氧化鎳、氮氧化釕和氮氧化鐠。

12.如權利要求10所述的制造方法，其特征在于吸收材料包括碲化鎘，摻雜物包括銅，緩沖層包括硫化鎘，摻雜物阻擋層包括摻雜或未摻雜的氮化物或者摻雜或未摻雜的氮氧化物。