[發明專利]等離子體處理裝置和聚焦環有效
| 申請號： | 201010147501.4 | 申請日： | 2007-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN101807509A | 公開（公告）日： | 2010-08-18 |
| 發明（設計）人： | 輿石公 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 處理 裝置 聚焦 | ||
1.一種等離子體處理裝置，使被處理基板載置在配置于處理腔室 內的載置臺上，通過施加高頻電壓，使處理腔室內產生等離子體，對 被處理基板進行處理，其特征在于：
包括以包圍所述載置臺上載置的被處理基板的周圍的方式配置的 聚焦環，
所述聚焦環具有：配置在所述載置臺上載置的被處理基板的周圍 外側的、由導電性材料構成的外側環部；和在所述載置臺上載置的被 處理基板的周邊部下方，與所述被處理基板的周邊部隔開規定間隔配 置的、由導電性材料構成的內側環部，
所述內側環部與所述載置臺之間通過絕緣部件電絕緣，
與地線電連接的第二導電性部件靠近通過所述絕緣部件與所述載 置臺絕緣的所述外側環部而配置，
在所述外側環部與所述第二導電性部件之間設置有第二絕緣部 件。
2.一種聚焦環，在通過施加高頻電壓，使處理腔室內產生等離子 體，對被處理基板進行處理的等離子體處理裝置中，以包圍配置在所 述處理腔室內的載置臺上的被處理基板的周圍的方式配置，其特征在 于，包括：
配置在所述載置臺上載置的被處理基板的周圍外側的、由導電性 材料構成的外側環部；和在所述載置臺上載置的被處理基板的周邊部 下方，與所述被處理基板的周邊部隔開規定間隔配置的、由導電性材 料構成的內側環部，
所述內側環部與所述載置臺之間通過絕緣部件電絕緣，
與地線電連接的第二導電性部件靠近通過所述絕緣部件與所述載 置臺絕緣的所述外側環部而配置，
在所述外側環部與所述第二導電性部件之間設置有第二絕緣部 件。
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