[發(fā)明專利]耐候型微觸發(fā)可控硅及其制造方法

無效

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• 申請日: 2010-03-15
• 公開（公告）號: CN101814496A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李文廣;周遠鑄
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門泰格微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/74;H01L21/77;H01L21/332
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種耐候型微觸發(fā)可控硅，為PNP結(jié)構(gòu)，所述PNP結(jié)構(gòu)的一側(cè)P型硅上設(shè)有N⁺發(fā)射區(qū)和門極電極，在所述N⁺發(fā)射區(qū)上設(shè)置有陰極電極，所述PNP結(jié)構(gòu)的另一側(cè)P型硅上設(shè)置有陽極電極，其特征在于：所述PNP結(jié)構(gòu)內(nèi)部設(shè)有橫向集成電阻，所述橫向集成電阻是負溫度系數(shù)型熱敏電阻，并且連接于所述門極電極和陰極電極之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐候型微觸發(fā)可控硅，其特征在于：所述橫向集成電阻位于所述N⁺發(fā)射區(qū)下面鄰近所述門極電極區(qū)側(cè)的P型硅上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的耐候型微觸發(fā)可控硅，其特征在于：所述橫向集成電阻的阻值變化范圍為5千歐姆到15千歐姆之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的耐候型微觸發(fā)可控硅，其特征在于：所述耐候型微觸發(fā)可控硅還包括包圍所述N⁺發(fā)射區(qū)、鄰近N⁺發(fā)射區(qū)的P型硅以及門極電極的阻斷電壓保護槽。

5.一種耐候型微觸發(fā)可控硅的制造方法，其包括以下步驟：

在PNP結(jié)構(gòu)的一側(cè)P型硅上形成N⁺發(fā)射區(qū)和門極電極；

在所述N⁺發(fā)射區(qū)上形成陰極電極；以及

在所述PNP結(jié)構(gòu)的另一側(cè)P型硅上形成陽極電極，并且在所述PNP結(jié)構(gòu)內(nèi)部形成連接于所述門極電極和陰極電極之間的橫向集成電阻，所述橫向集成電阻是負溫度系數(shù)型熱敏電阻。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的耐候型微觸發(fā)可控硅的制造方法，其特征在于，所述在PNP結(jié)構(gòu)內(nèi)部形成連接于所述門極電極和陰極電極之間的橫向集成電阻的步驟為：采用擴散集成的辦法，在PNP結(jié)構(gòu)內(nèi)部形成連接于所述門極電極和陰極電極之間的次薄層橫向集成電阻。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的耐候型微觸發(fā)可控硅的制造方法，其特征在于，所述在PNP結(jié)構(gòu)的一側(cè)P型硅上形成N⁺發(fā)射區(qū)的步驟包括：在N型硅單晶基片上通過硼擴散形成所述PNP結(jié)構(gòu)，并在一側(cè)P型硅上通過選擇性磷擴散形成所述N⁺發(fā)射區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的耐候型微觸發(fā)可控硅的制造方法，其特征在于，進一步包括：在形成所述橫向集成電阻之后，形成包圍所述N⁺發(fā)射區(qū)、鄰近N⁺發(fā)射區(qū)的P型硅以及門極電極的阻斷電壓保護槽。