[發明專利]平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法及生產裝置

有效

• 申請號: 201010147165.3
• 申請日: 2010-04-15
• 公開（公告）號: CN102220559A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 甘國工
• 申請（專利權）人: 甘國工
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 成都立信專利事務所有限公司 51100
• 代理人: 江曉萍

1.平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于以大面積金屬片作為太陽能鍍膜板的基片，一片或多片基片放置在由玻璃板或金屬板制成的載片板上，載片板以斷續方式被轉動輥軸傳送快速進入和通過臥式鍍膜裝置中的前真空鎖定室、前保持室后，載片板一塊接一塊的、連續勻速依次進入到至少有3組磁控濺射靶與相應的濺射腔室的連續鍍膜室中，載片板在連續鍍膜室內由減速機拖動的水平布置轉動輥軸一塊接一塊的、連續勻速的傳送，基片經過磁控濺射靶與相應的濺射腔室，在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/至少一組由金屬膜或金屬介質復合膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層，或者在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/吸熱半導體材料膜或金屬介質復合材料膜/減反射層，從而在基片上形成太陽能吸收功能膜，連續鍍膜室后有后保持室和后真空鎖定室，基片的出片與進片方式相同，也是以斷續方式被轉動輥軸傳送快速退出和通過后保持室和后真空鎖定室，進片、鍍膜和出片的具體方法為：外界大氣與前真空鎖定室之間、前真空鎖定室與前保持室之間、前保持室與連續鍍膜室之間、連續鍍膜室與后保持室之間、后保持室與后真空鎖定室之間、后真空鎖定室與外界大氣之間設有真空閥門，當前、后真空鎖定室和前、后保持室的真空度達到連續鍍膜室的鍍膜工作真空度1-9×10^-1Pa，各室與室之間的真空閥門開啟讓載片板分批次按生產節奏進入連續鍍膜室或退出連續鍍膜室，前、后真空鎖定室與大氣之間的真空閥門開閉一次進出載片板一塊或幾塊為一批為一個生產節奏，是斷續進出片方式，而在連續鍍膜室中載片板一塊或幾塊為一批均為連續走片方式，基片上形成太陽能吸收功能膜后，被轉動輥軸傳送快速依次從后保持室和后真空鎖定室以斷續方式快速出片，生產出平板太陽能吸熱鍍膜板。

2.如權利要求1所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于在前保持室與連續鍍膜室之間、連續鍍膜室與后保持室之間有一段緩沖區，使載片板按生產節奏的斷續快速的進片方式在前緩沖區中變為呈一塊接一塊的連續勻速行進方式進入連續鍍膜室，基片上形成太陽能吸收功能膜后，載片板呈一塊接一塊的連續勻速行進方式退出連續鍍膜室進入后緩沖區中，使載片板在后緩沖區中形成按生產節奏的斷續快速的一塊接一塊或幾塊為一批的出片方式。

3.如權利要求1或2所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于載片板與載片板之間的距離為20毫米至500毫米。

4.如權利要求1或2所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于連續鍍膜室至少3組磁控濺射靶及相應的濺射腔室之間由隔板分割而形成各自獨立的腔室，各自獨立的腔室有獨立的磁控濺射電源及工藝充氣控制單元系統，每組磁控濺射靶分別單獨控制電源功率和鍍膜所需的工藝氣體。

5.如權利要求1或2所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于磁控濺射靶及相應的濺射腔室之間至少有一個真空抽氣室做為隔離腔室，以保持靶位、腔室之間不竄氣，避免各腔室之間互相干擾工藝氣體和真空度。

6.如權利要求1或2所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于磁控濺射靶及相應的濺射腔室中單獨的靶的類型是直流平面靶、直流柱形靶、中頻交流平面靶、中頻交流柱形靶中的至少一種。

7.如權利要求1或2所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于鍍介質膜或金屬介質復合膜或吸熱半導體材料膜的磁控濺射靶是中頻交流柱形旋轉靶或者中頻交流平面靶，靶材是金屬靶，濺射時充入工藝氣體Ar以及N₂和/或O₂沉積成金屬氮和/或氧化合物或金屬介質復合膜或者吸熱半導體材料膜。

8.如權利要求1或2所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于濺射腔室鍍介質膜或金屬介質復合膜或吸熱半導體材料膜的中頻交流柱形旋轉靶或中頻交流平面靶為A靶，鍍金屬膜或紅外光波反射膜的直流平面靶為B靶，其A靶與B靶的配置依次序為1至4個B靶/1至5個A靶/1至4個B靶/1至5個A靶/1至4個B靶/1至5個A靶，或者配置為1至4個B靶/1至5個A靶/1至5個A靶，在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/至少一組由金屬膜或金屬介質復合膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層，或者在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/吸熱半導體材料膜或金屬介質復合材料膜/減反射層，生產出太陽能吸熱功能膜系。