[發明專利]一種太陽能級別單晶硅及其制備方法

無效

• 申請號: 201010146874.X
• 申請日: 2010-04-15
• 公開（公告）號: CN102220631A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 朱如坤
• 申請（專利權）人: 朱如坤
• 主分類號: C30B15/02
• 分類號: C30B15/02;C30B15/30
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種應用于太陽能級別的單晶硅及其制備方法，把25KG的多晶硅(占原料35.72％)、邊皮15KG(占原料21.43％)、復拉棒20KG(占原料28.57％)、拋光片5KG(占原料7.14％)、頭尾料5KG(占原料7.14％)放入單晶爐，單晶爐的石英鍋的溫度達到硅的融點才1410度左右，融化了硅以后石英鍋慢慢轉動，種晶從上面下降，點到鍋的液面點，慢慢反方向轉動，鍋下面同時在加熱，液面上加冷，種晶點到液面上就會出現一個光點，慢慢旋轉，向上拉引、放肩、轉肩、正常拉棒、收尾，在一段時間后，一個單晶棒形成。

2.根據權利要求1所述的一種應用于太陽能級別的單晶硅及其制備方法其特征在于所制成單晶硅導電類型P型，摻雜劑B；

3.根據權利要求1所述的一種應用于太陽能級別的單晶硅及其制備方法其特征在于所摻雜母合金P型10克。