[發(fā)明專利]絕緣體上硅深硅槽隔離結構的制備工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010146508.4
• 申請日: 2010-04-13
• 公開（公告）號: CN101834158A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發(fā)明（設計）人: 錢欽松;朱奎英;孫偉鋒;孫俊;陸生禮;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 黃雪蘭

1.一種絕緣體上硅深硅槽隔離結構的制備工藝，包括：a、在半導體襯底(1)上面設置有埋氧化層(2)，在埋氧化層(2)上設有N型頂層單晶硅(3)，在N型頂層單晶硅(3)上生成表面氧化層(41)，在表面氧化層(41)表面涂覆光刻膠(42)，在光刻膠(42)上刻蝕出深硅槽尺寸大小的窗口并裸露出表面氧化層(41)；b、腐蝕裸露出的表面氧化層(41)并露出要刻蝕的N型頂層單晶硅(3)；其特征在于，

c、利用表面氧化層(41)作為刻蝕N型頂層單晶硅(3)的掩蔽層，采用各向異性等離子干法刻蝕工藝，刻蝕出縱橫比為7∶1.2至7∶3的深硅槽；緊接著完全腐蝕掉表面氧化層(41)，同時腐蝕埋氧化層(2)，使深硅槽的底部位置的下移深度為埋氧化層(2)的厚度的15％-25％；

d、采用濕氧法在深硅槽的側壁上生長隔離氧化層(5)；

e、采用無摻雜的多晶硅(6)來進行填充深硅槽。

2.根據(jù)權利要求1所述的絕緣體上硅深硅槽的制備工藝，其特征在于所述作為刻蝕掩蔽層的表面氧化層(41)厚度小于埋氧化層(2)厚度的15％。