[發(fā)明專利]一種CP構(gòu)架的磁性隨機(jī)存儲器及其信息讀取方法

無效

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• 申請日: 2010-04-14
• 公開（公告）號: CN101847433A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐曉莉;張懷武;荊玉蘭;蘇樺;鐘智勇
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06;G11C11/16
• 代理公司: 電子科技大學(xué)專利中心 51203
• 代理人: 葛啟函

1.一種CP構(gòu)架的磁性隨機(jī)存儲器，包括兩個(gè)相同的CP構(gòu)架的磁性隨機(jī)存儲器陣列和一個(gè)比較器；所述CP構(gòu)架的磁性隨機(jī)存儲器陣列由M行字線、N列位線和連接于字線和位線之間的M×N個(gè)磁性隧道結(jié)信息存儲單元構(gòu)成，每行字線分別通過一個(gè)編譯碼開關(guān)接地；

其特征在于，

其中一個(gè)CP構(gòu)架的磁性隨機(jī)存儲器陣列為主磁性隨機(jī)存儲器陣列A1，用于信息的讀寫；另一個(gè)CP構(gòu)架的磁性隨機(jī)存儲器陣列為參考磁性隨機(jī)存儲器陣列A2；參考磁性隨機(jī)存儲器陣列A2的所有磁性隧道結(jié)信息存儲單元所存儲的信息為已知；主磁性隨機(jī)存儲器陣列A1的每列位線分別通過一個(gè)編譯碼開關(guān)接所述比較器的一個(gè)輸入端；參考磁性隨機(jī)存儲器陣列A2的每列位線分別通過一個(gè)編譯碼開關(guān)接所述比較器的另一個(gè)輸入端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CP構(gòu)架的磁性隨機(jī)存儲器，其特征在于，所述CP構(gòu)架的參考磁性隨機(jī)存儲器陣列的M×N個(gè)磁性隧道結(jié)信息存儲單元所存儲的信息均為“1”。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CP構(gòu)架的磁性隨機(jī)存儲器，其特征在于，所述CP構(gòu)架的參考磁性隨機(jī)存儲器陣列的M×N個(gè)磁性隧道結(jié)信息存儲單元所存儲的信息均為“0”。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CP構(gòu)架的磁性隨機(jī)存儲器的信息讀取方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：將檢測電流I輸入到CP構(gòu)架的主磁性隨機(jī)存儲器陣列A1中需要讀取信息的第m行、第n列磁性隧道結(jié)信息存儲單元a，同時(shí)將另一個(gè)與檢測電流I相同大小的檢測電流I’輸入到CP構(gòu)架的參考磁性隨機(jī)存儲器陣列A2中第m行、第n列磁性隧道結(jié)信息存儲單元a’；

步驟2：若比較器的輸出信號的幅度|V2-V1|為高電平V_高時(shí)，則主磁性隨機(jī)存儲器陣列A1中需要讀取信息的第m行、第n列磁性隧道結(jié)信息存儲單元a所存儲的信息與參考磁性隨機(jī)存儲器陣列A2中第m行、第n列磁性隧道結(jié)信息存儲單元a’所存儲的信息相反；若比較器的輸出信號的幅度|V2-V1|為低電平V_低時(shí)，則主磁性隨機(jī)存儲器陣列A1中需要讀取信息的第m行、第n列磁性隧道結(jié)信息存儲單元a所存儲的信息與參考磁性隨機(jī)存儲器陣列A2中第m行、第n列磁性隧道結(jié)信息存儲單元a’所存儲的信息相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CP構(gòu)架的磁性隨機(jī)存儲器的信息讀取方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：將檢測電流I輸入到CP構(gòu)架的主磁性隨機(jī)存儲器陣列A1中需要讀取信息的第m行、第n列磁性隧道結(jié)信息存儲單元a，同時(shí)將另一個(gè)與檢測電流I相同大小的檢測電流I’輸入到CP構(gòu)架的參考磁性隨機(jī)存儲器陣列A2中第m行、第n列磁性隧道結(jié)信息存儲單元a’；

步驟2：若比較器的輸出信號的幅度|V2-V1|為高電平V_高時(shí)，則主磁性隨機(jī)存儲器陣列A1中需要讀取信息的第m行、第n列磁性隧道結(jié)信息存儲單元a所存儲的信息為“0”；若比較器的輸出信號的幅度|V2-V1|為低電平V_低時(shí)，則主磁性隨機(jī)存儲器陣列A1中需要讀取信息的第m行、第n列磁性隧道結(jié)信息存儲單元a所存儲的信息為“1”。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的CP構(gòu)架的磁性隨機(jī)存儲器的信息讀取方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：將檢測電流I輸入到CP構(gòu)架的主磁性隨機(jī)存儲器陣列A1中需要讀取信息的第m行、第n列磁性隧道結(jié)信息存儲單元a，同時(shí)將另一個(gè)與檢測電流I相同大小的檢測電流I’輸入到CP構(gòu)架的參考磁性隨機(jī)存儲器陣列A2中第m行、第n列磁性隧道結(jié)信息存儲單元a’；

步驟2：若比較器的輸出信號的幅度|V2-V1|為高電平V_高時(shí)，則主磁性隨機(jī)存儲器陣列A1中需要讀取信息的第m行、第n列磁性隧道結(jié)信息存儲單元a所存儲的信息為“1”；若比較器的輸出信號的幅度|V2-V1|為低電平V_低時(shí)，則主磁性隨機(jī)存儲器陣列A1中需要讀取信息的第m行、第n列磁性隧道結(jié)信息存儲單元a所存儲的信息為“0”。

7.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一CP構(gòu)架的磁性隨機(jī)存儲器的信息讀取方法，其特征在于，所述低電平V_低由如下方式確定：首先使主磁性隨機(jī)存儲器陣列A1的所有存儲單元和參考磁性隨機(jī)存儲器陣列A2的所有存儲單元都存儲相同的信息；然后在步驟1的基礎(chǔ)上測試所有存儲單元下比較器的輸出電壓值；再求出輸出電壓值的統(tǒng)計(jì)平均值最后確定低電平V低確定為

所述高電平V_高由如下方式確定：首先使主磁性隨機(jī)存儲器陣列A1的所有存儲單元和參考磁性隨機(jī)存儲器陣列A2的所有存儲單元都存儲相反的信息；然后在步驟1的基礎(chǔ)上測試所有存儲單元下比較器的輸出電壓值；再求出輸出電壓值的統(tǒng)計(jì)平均值最后確定高電平V_高確定為