[發明專利]一種平板PECVD氮化硅覆膜系統無效
| 申請號: | 201010146272.4 | 申請日: | 2010-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN102220567A | 公開(公告)日: | 2011-10-19 |
| 發明(設計)人: | 張振厚;趙科新;趙崇凌;李士軍;張健;張冬;洪克超;段鑫陽;徐寶利;鐘福強;陸濤 | 申請(專利權)人: | 中國科學院沈陽科學儀器研制中心有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/34 | 分類號: | C23C16/34;C23C16/513 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人: | 張志偉 |
| 地址: | 110168 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 平板 pecvd 氮化 硅覆膜 系統 | ||
1.一種平板PECVD氮化硅覆膜系統,其特征在于:該系統設有裝載腔、工藝腔和卸載腔,裝載腔、工藝腔和卸載腔為模塊化的三個腔體,裝載腔和工藝腔相通,工藝腔和卸載腔相通。
2.按照權利要求1所述的平板PECVD氮化硅覆膜系統,其特征在于:裝載腔的外側依次設置裝載臺和進載臺,卸載腔的外側依次設置卸載臺和出載臺。
3.按照權利要求2所述的平板PECVD氮化硅覆膜系統,其特征在于:在裝載臺和卸載臺處安裝用于裝卸光伏晶硅片的機械手。
4.按照權利要求1所述的平板PECVD氮化硅覆膜系統,其特征在于:真空抽氣系統I與裝載腔連通,真空抽氣系統II與工藝腔連通,真空抽氣系統III與卸載腔連通。
5.按照權利要求1所述的平板PECVD氮化硅覆膜系統,其特征在于:裝載腔、工藝腔、卸載腔分別與氮氣回填系統連通。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





