[發明專利]鈦片表面納米尺度粗糙化的方法

無效

• 申請號: 201010145821.6
• 申請日: 2010-04-14
• 公開（公告）號: CN101792923A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發明（設計）人: 黃其煜;陳姍姍;陳萬濤;張梅
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C25D11/26
• 分類號: C25D11/26
• 代理公司: 上海交達專利事務所 31201
• 代理人: 王錫麟;王桂忠

1.一種鈦片表面納米尺度粗糙化的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一，通過鈦片制備二氧化鈦納米管陣列：首先配制有機電解液，然后將醫用鈦片作為陽極、鉑電極作為陰極進行陽極氧化處理，制備得到二氧化鈦納米管陣列；

步驟二，腐蝕鈦片得到納米尺度粗糙化表面：首先制備腐蝕液，然后將清洗后的陽極置于其中進行腐蝕處理，經過后處理后實現鈦片表面納米尺度粗糙化。

2.根據權利要求1所述的鈦片表面納米尺度粗糙化的方法，其特征是，所述的醫用鈦片依次經丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗15分鐘并干燥。

3.根據權利要求1所述的鈦片表面納米尺度粗糙化的方法，其特征是，所述的有機電解液是指：由質量分數為0.3wt％的氟化鹽、質量分數為2wt％的去離子水和有機溶劑配制得到。

4.根據權利要求3所述的鈦片表面納米尺度粗糙化的方法，其特征是，所述的氟化鹽包括：氟化銨、氟化鈉或氟化鉀。

5.根據權利要求3所述的鈦片表面納米尺度粗糙化的方法，其特征是，所述的有機溶劑是指：乙二醇或丙三醇。

6.根據權利要求1所述的鈦片表面納米尺度粗糙化的方法，其特征是，所述的陽極氧化是指：在20℃恒溫條件下，向陽極和陰極之間施加20V的直流電壓進行氧化處理。

7.根據權利要求1所述的鈦片表面納米尺度粗糙化的方法，其特征是，所述的制備腐蝕液是指：采用濃度為25％的氨水，30％的雙氧水溶液以及去離子水按1∶1∶5的摩爾比配制腐蝕液。

8.根據權利要求1所述的鈦片表面納米尺度粗糙化的方法，其特征是，所述的清洗后的陽極是指：將陽極分別置于無水乙醇和去離子水中超聲清洗5分鐘并干燥。

9.根據權利要求1所述的鈦片表面納米尺度粗糙化的方法，其特征是，所述的腐蝕處理是指：將陽極置于70～80℃的腐蝕液中腐蝕20分鐘。

10.根據權利要求1所述的鈦片表面納米尺度粗糙化的方法，其特征是，所述的后處理是指：將腐蝕后的陽極取出，用流動的去離子水沖洗5分鐘后，浸泡到去離子水中，并每隔1小時換水一次，重復三次后干燥。