[發明專利]成膜裝置和成膜方法有效
| 申請號: | 201010145553.8 | 申請日: | 2010-04-08 |
| 公開(公告)號: | CN101859694A | 公開(公告)日: | 2010-10-13 |
| 發明(設計)人: | 加藤壽;本間學;菊地宏之 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;C23C16/46;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 方法 | ||
1.一種成膜裝置,其在真空容器內的工作臺上載置有基板,并且通過使工作臺與分別供給相互反應的至少兩種反應氣體的多個反應氣體供給部件相對旋轉,按順序向基板供給至少兩種反應氣體,并且實施該供給循環,由此層疊反應生成物層而形成薄膜,其特征在于,其包括:
基板載置區域,其設置在真空容器內的工作臺的表面上,用于載置基板;
旋轉機構,其用于使工作臺與多個反應氣體供給部件相對旋轉,使得基板按順序位于從多個反應氣體供給部件分別供給反應氣體的多個處理區域;
第一反應氣體供給部件,其與工作臺上的基板載置區域相對設置,用于向基板上供給第一反應氣體而使該第一反應氣體吸附在基板上;
輔助氣體供給部件,其與工作臺上的基板載置區域相對設置,并且在工作臺的周向上與第一反應氣體供給部件隔開間隔地設置在第一反應氣體供給部件的工作臺相對于多個氣體供給部件進行相對旋轉的相對旋轉方向的下游側,用于向基板上供給輔助氣體,該輔助氣體與吸附在基板上的第一反應氣體發生反應而生成具有流動性的中間產物;
第二反應氣體供給部件,其與工作臺上的基板載置區域相對設置,并且在工作臺的周向上設置在輔助氣體供給部件的相對旋轉方向的下游側,用于向基板上供給與基板上的中間產物發生反應而生成反應生成物的第二反應氣體;
加熱部件,其與工作臺上的基板載置區域相對設置,且在工作臺的周向上設置在第二反應氣體供給部件的相對旋轉方向的下游側并且設置在第一反應氣體供給部件的相對旋轉方向的上游側,其用于加熱基板,以使反應生成物致密化。
2.根據權利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,
該成膜裝置具有用于對分離區域分別供給分離氣體的分離氣體供給部件,從工作臺的相對旋轉方向看來,該分離區域分別設置在被供給第一反應氣體的第一處理區域和被供給輔助氣體的輔助處理區域之間、第一處理區域和被供給第二反應氣體的第二處理區域之間,用于劃分處理區域的氣氛。
3.根據權利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,
加熱部件是加熱燈,該加熱燈與工作臺上的基板載置區域相對設置。
4.根據權利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,
該成膜裝置具有控制部,該控制部輸出控制信號,以便使載置有基板的工作臺旋轉,從第一反應氣體供給部件、輔助氣體供給部件和第二反應氣體供給部件分別向基板按照第一反應氣體、輔助氣體和第二反應氣體這樣的順序供給第一反應氣體、輔助氣體和第二反應氣體,然后,在這些反應氣體的每個供給循環中利用加熱部件加熱基板,由此,按照使第一反應氣體吸附在基板上、生成中間產物、生成反應生成物、使反應生成物致密化這樣的順序反復進行多次使第一反應氣體吸附在基板上、生成中間產物、生成反應生成物、使反應生成物致密化。
5.根據權利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,
該成膜裝置具有控制部,該控制部輸出控制信號,以便使載置有基板的工作臺旋轉,從第一反應氣體供給部件、輔助氣體供給部件和第二反應氣體供給部件分別向基板按照第一反應氣體、輔助氣體和第二反應氣體這樣的順序供給第一反應氣體、輔助氣體和第二反應氣體,由此,按照在基板上吸附第一反應氣體、生成中間產物、生成反應生成物這樣的順序反復進行多次在基板上吸附第一反應氣體、生成中間產物、生成反應生成物,之后,利用加熱部件加熱基板使反應生成物致密化。
6.根據權利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,
該成膜裝置具有等離子體供給部件,該等離子體供給部件與工作臺上的基板載置區域相對設置,并且,在工作臺的周向上設置在第二反應氣體供給部件的相對旋轉方向的下游側并且設置在加熱部件的相對旋轉方向的上游側,其用于對基板供給等離子體。
7.根據權利要求1所述的成膜裝置,其特征在于,
該成膜裝置具有第三反應氣體供給部件,該第三反應氣體供給部件為了使硼和磷中的至少一種混入到反應生成物內而與工作臺上的基板載置區域相對設置,并且,在工作臺的周向上設置在第一反應氣體供給部件的相對旋轉方向的下游側并且設置在加熱部件的相對旋轉方向的上游側,用于向基板的表面供給第三反應氣體而使第三反應氣體吸附在該基板的表面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





