[發明專利]半導體裝置以及半導體裝置的制造方法有效
| 申請號： | 201010145466.2 | 申請日： | 2010-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN101853881A | 公開（公告）日： | 2010-10-06 |
| 發明（設計）人： | 金子信男 | 申請（專利權）人： | 三墾電氣株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 鐘晶 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 以及 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：
在一側的主表面的一部分上形成了側面傾斜的凹部的氮化物系半導體層，
設置于上述一側的主表面上的第1電極，
夾著上述凹部而處于上述第1電極的相對一側的、設置于上述一側的主表面上的第2電極，
夾著上述一側的主表面的上述凹部而形成于兩側的、上述凹部側的壁面為傾斜的絕緣層，
設置于上述凹部的底面上和側面上以及上述絕緣層的上述凹部側的壁面的至少一部分上的控制電極；
上述絕緣層的壁面的傾斜角比上述凹部的側面的傾斜角大。
2.權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
上述氮化物系半導體層具有：
第1氮化物系半導體層，
與上述第1氮化物系半導體層相比至少部分組成不相同的、形成于上述第1氮化物系半導體層上的、形成有上述凹部的第2氮化物系半導體層；
在上述第1氮化物系半導體層和上述第2氮化物系半導體層的界面附近形成有二維電子氣層；
上述凹部的底面沒有抵達上述第1氮化物系半導體層的界面。
3.權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
在上述絕緣層的壁面和上述凹部之間形成有間隔，上述氮化物系半導體層的上表面露出。
4.權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
在上述凹部的底面、側面以及上述絕緣層的上述凹部側的壁面與上述控制電極之間進一步具有金屬氧化物半導體層。
5.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具備：
在氮化物系半導體層的一側的主表面上形成絕緣層的工序，
在上述絕緣層上形成一部分開口的抗蝕膜的工序，
以上述抗蝕膜為掩模來對上述絕緣層進行干法蝕刻的工序，
以上述抗蝕膜為掩模來對上述絕緣層進行濕法蝕刻而形成傾斜壁面的工序，
以上述抗蝕膜為掩模來對上述氮化物系半導體層進行干法蝕刻從而在上述氮化物系半導體層的一側的主表面上形成凹部的工序，
在上述凹部的底面上和側面上以及上述絕緣層的上述凹部側的傾斜壁面的至少一部分上形成控制電極的工序。
6.權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，進一步具有：在上述控制電極與上述凹部的底面、側面以及上述絕緣層的傾斜壁面之間形成金屬氧化物半導體層的工序。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三墾電氣株式會社，未經三墾電氣株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010145466.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：半導體裝置
- 下一篇：固態成像裝置、固態成像裝置的制造方法以及電子設備
- 同類專利
- 專利分類
