[發明專利]冷陰極電子源的制造方法及冷陰極電子源

有效

• 申請號: 201010145409.4
• 申請日: 2010-03-19
• 公開（公告）號: CN101840822A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 白神崇生;北川和典;兼重敏男;西村則雄
• 申請（專利權）人: 雙葉電子工業株式會社
• 主分類號: H01J9/02
• 分類號: H01J9/02;H01J1/304;H01J29/04
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種冷陰極電子源的制造方法，該冷陰極電子源具有：陰極電極；絕緣層，形成于所述陰極電極上；柵極電極，形成在所述絕緣層上；及射極，在形成于所述柵極電極及所述絕緣層的孔洞的底部，以與所述陰極電極導通的方式形成；

該冷陰極電子源的制造方法的特征在于具有：

利用第2聚合物的溶解度比第1聚合物的溶解度高的溶劑，使具有彼此不會相溶的性質的所述第1聚合物與所述第2聚合物相互溶解，并使其被覆在形成所述孔洞前的所述柵極電極的表面的步驟；

通過使所述溶劑蒸發，而使所述第1聚合物以微粒子狀析出在所述第2聚合物中而固定化的步驟；

利用所述第1聚合物的溶解度比所述第2聚合物的溶解度高的顯影液，去除析出成微粒子狀的所述第1聚合物，藉此在所述第2聚合物形成蝕刻孔洞的步驟；及

透過所述蝕刻孔洞進行蝕刻，藉此在所述柵極電極形成孔洞的步驟。

2.根據權利要求1所述的冷陰極電子源的制造方法，其特征在于，所述顯影液為水。

3.根據權利要求1所述的冷陰極電子源的制造方法，其特征在于，所述顯影液為有機溶劑。

4.根據權利要求1至3中任一權利要求所述的冷陰極電子源的制造方法，其特征在于，所述溶劑由單一種類的有機溶劑所構成。

5.根據權利要求1至3中任一權利要求所述的冷陰極電子源的制造方法，其特征在于，所述溶劑包含：所述第2聚合物的溶解度比所述第1聚合物的溶解度高且沸點相對較高的第1有機溶劑；及所述第1聚合物的溶解度比所述第2聚合物的溶解度高且沸點相對較低的第2有機溶劑。

6.根據權利要求1至3中任一權利要求所述的冷陰極電子源的制造方法，其特征在于，透過所述蝕刻孔洞進行干蝕刻前，在形成有所述蝕刻孔洞的所述第2聚合物的表面，設置用以保護所述第2聚合物不會受到干蝕刻侵蝕的保護層。

7.一種冷陰極電子源，其特征在于，具有：陰極電極；絕緣層，形成于所述陰極電極上；柵極電極，形成在所述絕緣層上；及射極，在形成于所述柵極電極及所述絕緣層的孔洞的底部，以與所述陰極電極導通的方式形成；該冷陰極電子源的特征在于：

以多個形成的所述孔洞的徑以在0.04μm至0.3μm的范圍內產生變異的狀態進行分布。