[發明專利]一種對半導體器件進行提參建模的方法無效
| 申請號： | 201010145308.7 | 申請日： | 2010-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN102214252A | 公開（公告）日： | 2011-10-12 |
| 發明（設計）人： | 卜建輝;畢津順;韓鄭生 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 進行 參建 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種對半導體器件進行提參建模的方法，其特征在于，該方法包括：
用半導體參數測試儀對半導體器件進行測試，得到該半導體器件的原始數據；
用提參軟件從該半導體器件的原始數據中提取參數，得到舊模型參數；
在得到的舊模型參數中加入宏模型，形成含有未知參數的準新模型；
獲取新模型參數，將該新模型參數加入到含有未知參數的準新模型中，形成新模型。
2.根據權利要求1所述的對半導體器件進行提參建模的方法，其特征在于，所述在舊模型參數中加入的宏模型，是在舊模型的基礎上以子電路的形式加入了相關參數隨外界環境變化的函數。
3.根據權利要求2所述的對半導體器件進行提參建模的方法，其特征在于，如果外界環境對半導體器件性能的影響與半導體器件尺寸有關，則宏模型中應該體現出來尺寸因素，并且應對多個尺寸的的器件進行測試與擬合。
4.根據權利要求1所述的對半導體器件進行提參建模的方法，其特征在于，所述獲取新模型參數包括：
將半導體器件經歷某種外界環境，然后用半導體參數測試儀測試該半導體器件得到該半導體器件的新數據；
用提參軟件從該半導體器件的新數據中提取參數，得到新模型參數。
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