[發(fā)明專利]一種單側(cè)硅片濕法腐蝕設(shè)備

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010145227.7
• 申請(qǐng)日: 2010-04-09
• 公開（公告）號(hào): CN102212824A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高超群;景玉鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): C23F1/08
• 分類號(hào): C23F1/08
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 周國(guó)城

1.一種單側(cè)硅片濕法腐蝕設(shè)備，其特征在于，該設(shè)備包括供液裝置(1)、腐蝕室(2)和余液處理裝置(3)，其中，供液裝置(1)將高溫堿性腐蝕液噴到腐蝕室(2)中真空吸盤上旋轉(zhuǎn)的硅片上，對(duì)硅片進(jìn)行反應(yīng)速率和表面光潔度可控的各向異性濕法腐蝕，同時(shí)硅片與腐蝕室(2)中的真空吸盤緊密貼合，將貼合面與腐蝕環(huán)境隔離，實(shí)現(xiàn)對(duì)單側(cè)硅片的保護(hù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單側(cè)硅片濕法腐蝕設(shè)備，其特征在于，所述供液裝置包括KOH溶液暫存腔(101)、去離子水供給裝置(102)、控溫預(yù)熱腔(103)、加熱盤管(104)、抗腐蝕連接管道和相應(yīng)的閥門，其中，KOH溶液暫存腔(101)和去離子水供給裝置(102)均通過閥門連接于控溫預(yù)熱腔(103)，加熱盤管(104)盤繞在控溫預(yù)熱腔(103)外部，以保證控溫預(yù)熱腔(103)內(nèi)部的腐蝕液維持預(yù)設(shè)高溫，恒流恒速泵(105)將控溫預(yù)熱腔(103)內(nèi)部的高溫腐蝕液泵入腐蝕室(2)內(nèi)的腐蝕液供液管道。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單側(cè)硅片濕法腐蝕設(shè)備，其特征在于，所述腐蝕室(2)包括噴嘴(201)、真空吸盤(202)、轉(zhuǎn)桿(203)、旋轉(zhuǎn)電機(jī)(204)、真空泵(205)、腐蝕液收集槽(206)和腐蝕液排液管(207)，其中，所述噴嘴(201)呈T形，噴口為縫狀，供液管道中的腐蝕液經(jīng)噴嘴節(jié)流膨脹，以幕狀射流噴淋在放置于真空吸盤(202)上的硅片上；所述轉(zhuǎn)桿(203)在旋轉(zhuǎn)電機(jī)(204)的作用下，帶動(dòng)真空吸盤(202)以及背面與真空吸盤(202)緊密吸合的硅片旋轉(zhuǎn)，保證腐蝕均勻性；真空吸盤(202)管道的真空度由真空泵(205)維持，保證硅片的背面與腐蝕環(huán)境隔離；離開硅片表面的腐蝕液，在腐蝕室(2)底部的腐蝕液收集槽(206)處富集，并可經(jīng)腐蝕液排液管(207)離開腐蝕室(2)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單側(cè)硅片濕法腐蝕設(shè)備，其特征在于，所述硅片(208)與真空吸盤(202)緊密吸合，保證硅片背面與腐蝕環(huán)境的隔離。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單側(cè)硅片濕法腐蝕設(shè)備，其特征在于，所述余液處理裝置(3)包括一腐蝕液回收槽，用于收集自腐蝕室(2)排出的腐蝕液，并對(duì)腐蝕液進(jìn)行除雜及凈化處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單側(cè)硅片濕法腐蝕設(shè)備，其特征在于，腐蝕完成后，將去離子水通過管道引入腐蝕室(2)，對(duì)硅片進(jìn)行噴淋清洗，清洗完成后，提高轉(zhuǎn)速，將真空吸盤(202)上的硅片旋轉(zhuǎn)甩干。